Susceptor de grafit amb recobriment de carbur de silici, suport d'hòsties

Susceptor de grafit amb recobriment de carbur de silici, portador d'hòsties Imatge destacada

Descripció breu:

Semicera ofereix una àmplia gamma de susceptors i components de grafit dissenyats per a diversos reactors d'epitaxi.

Mitjançant associacions estratègiques amb OEM líders del sector, una àmplia experiència en materials i capacitats avançades de fabricació, Semicera ofereix dissenys a mida per satisfer els requisits específics de la vostra aplicació.El nostre compromís amb l'excel·lència garanteix que rebeu solucions òptimes per a les vostres necessitats del reactor epitàxi.

Envieu-nos un correu electrònic

Detall del producte

Etiquetes de producte

Descripció

El recobriment CVD-SiC té les característiques d'estructura uniforme, material compacte, resistència a alta temperatura, resistència a l'oxidació, alta puresa, resistència àcid i àlcali i reactiu orgànic, amb propietats físiques i químiques estables.
En comparació amb els materials de grafit d'alta puresa, el grafit comença a oxidar-se a 400ºC, la qual cosa provocarà una pèrdua de pols a causa de l'oxidació, provocant la contaminació ambiental dels dispositius perifèrics i les cambres de buit i augmentarà les impureses de l'entorn d'alta puresa.
Tanmateix, el recobriment de SiC pot mantenir l'estabilitat física i química a 1600 graus, s'utilitza àmpliament a la indústria moderna, especialment a la indústria de semiconductors.

FDVCDV

zcfvzxcvZSXCv

La nostra empresa ofereix serveis de procés de recobriment de SiC mitjançant el mètode CVD a la superfície de grafit, ceràmica i altres materials, de manera que els gasos especials que contenen carboni i silici reaccionin a alta temperatura per obtenir molècules de SiC d'alta puresa, molècules dipositades a la superfície dels materials recoberts, formant una capa protectora SIC.El SIC format està fermament unit a la base de grafit, donant propietats especials a la base de grafit, fent que la superfície del grafit sigui compacta, lliure de porositat, resistència a altes temperatures, resistència a la corrosió i resistència a l'oxidació.

Aplicació

Principals característiques

1. Grafit recobert de SiC d'alta puresa

2. Resistència a la calor superior i uniformitat tèrmica

3. Cristall de SiC fi recobert per a una superfície llisa

4. Alta durabilitat davant la neteja química

Especificacions principals dels recobriments CVD-SIC

SiC-CVD
Densitat	(g/cc)	3.21
Resistència a la flexió	(Mpa)	470
Expansió tèrmica	(10-6/K)	4
Conductivitat tèrmica	(W/mK)	300

Embalatge i enviament

Capacitat de subministrament:
10000 peces/peces al mes
Embalatge i lliurament:
Embalatge: embalatge estàndard i fort
Bossa de polièster + Caixa + Cartró + Palet
Port:
Ningbo/Shenzhen/Xangai
Temps de lliurament: