Anell recobert de carbur de tàntal

Descripció breu:

El recobriment de carbur de tàntal és una tecnologia avançada de recobriment de superfícies que utilitza material de carbur de tàntal per formar una capa protectora dura, resistent al desgast i resistent a la corrosió a la superfície del substrat.Aquest recobriment té excel·lents propietats que augmenten significativament la duresa del material, la resistència a les altes temperatures i la resistència química, alhora que redueixen la fricció i el desgast.Els recobriments de carbur de tàntal s'utilitzen àmpliament en diversos camps, com ara la fabricació industrial, aeroespacial, enginyeria automotriu i equips mèdics, per allargar la vida útil del material, millorar l'eficiència de la producció i reduir els costos de manteniment.Tant si protegeixen les superfícies metàl·liques de la corrosió com si milloren la resistència al desgast i la resistència a l'oxidació de les peces mecàniques, els recobriments de carbur de tàntal proporcionen una solució fiable per a una varietat d'aplicacions.

 


Detall del producte

Etiquetes de producte

Semicera ofereix recobriments especialitzats de carbur de tàntal (TaC) per a diversos components i suports.El procés de recobriment líder de Semicera permet als recobriments de carbur de tàntal (TaC) aconseguir una gran puresa, estabilitat a alta temperatura i una alta tolerància química, millorant la qualitat del producte dels cristalls SIC/GAN i les capes EPI (Susceptor de TaC recobert de grafit), i allargant la vida útil dels components clau del reactor.L'ús del recobriment de carbur de tàntal TaC és per resoldre el problema de les vores i millorar la qualitat del creixement del cristall, i Semicera Semicera ha resolt la tecnologia de recobriment de carbur de tàntal (CVD) a un nivell avançat internacional.

 

Després d'anys de desenvolupament, Semicera ha conquerit la tecnologia deCVD TaCamb l'esforç conjunt del departament d'R+D.Els defectes són fàcils de produir en el procés de creixement de les hòsties de SiC, però després de l'úsTaC, la diferència és significativa.A continuació es mostra una comparació de les hòsties amb i sense TaC, així com les peces de Simicera per al creixement d'un sol cristall

微信图片_20240227150045

amb i sense TaC

微信图片_20240227150053

Després d'utilitzar TaC (dreta)

A més, la vida útil dels productes de recobriment de TaC de Semicera és més llarga i més resistent a les altes temperatures que la del recobriment de SiC.Després d'un llarg temps de dades de mesura de laboratori, el nostre TaC pot funcionar durant molt de temps a un màxim de 2300 graus centígrads.A continuació es mostren algunes de les nostres mostres:

微信截图_20240227145010

( a ) Diagrama esquemàtic del dispositiu de creixement de lingots de cristall únic de SiC mitjançant el mètode PVT (b) Suport de llavors recobert de TaC superior (incloent llavors de SiC) (c) Anell de guia de grafit recobert de TAC

ZDFVzCFV
Característica principal
Lloc de treball Semicera
Lloc de treball de semicera 2
Màquina d'equip
Processament CNN, neteja química, recobriment CVD
El nostre servei

  • Anterior:
  • Pròxim: