Portador de grafit recobert de SiC de llarga vida útil per a hòstia solar

Descripció breu:

El carbur de silici és un nou tipus de ceràmica amb un alt rendiment de costos i excel·lents propietats del material.A causa de característiques com l'alta resistència i duresa, resistència a altes temperatures, gran conductivitat tèrmica i resistència a la corrosió química, el carbur de silici pot suportar gairebé tots els mitjans químics.Per tant, el SiC s'utilitza àmpliament en la mineria del petroli, la química, la maquinària i l'espai aeri, fins i tot l'energia nuclear i els militars tenen les seves demandes especials sobre el SIC.Algunes aplicacions normals que podem oferir són anells de segellat per a bomba, vàlvula i armadura protectora, etc.


Detall del producte

Etiquetes de producte

Avantatges

Resistència a l'oxidació a alta temperatura
Excel·lent resistència a la corrosió
Bona resistència a l'abrasió
Alt coeficient de conductivitat tèrmica
Autolubricitat, baixa densitat
Alta duresa
Disseny personalitzat.

HGF (2)
HGF (1)

Aplicacions

- Camp resistent al desgast: casquet, placa, broquet de sorra, revestiment de cicló, barril de mòlta, etc.
- Camp d'alta temperatura: llosa siC, tub de forn d'extinció, tub radiant, gresol, element de calefacció, corró, biga, intercanviador de calor, canonada d'aire fred, broquet del cremador, tub de protecció de termoparells, vaixell de SiC, estructura de cotxe de forn, instal·lador, etc.
-Semiconductor de carbur de silici: vaixell d'hòstia SiC, mandril sic, paleta sic, casset sic, tub de difusió sic, forquilla d'hòstia, placa de succió, guia, etc.
- Camp de segell de carbur de silici: tot tipus d'anell de segellat, coixinets, casquilles, etc.
- Camp fotovoltaic: paleta en voladís, barril de mòlta, corró de carbur de silici, etc.
- Camp de bateries de liti

Hòstia (1)

Hòstia (2)

Propietats físiques del SiC

Propietat Valor Mètode
Densitat 3,21 g/cc Aigüera-flotador i dimensió
Calor específica 0,66 J/g °K Flaix làser polsat
Resistència a la flexió 450 MPa560 MPa Corba de 4 punts, corba de punts RT4, 1300°
Duresa fractural 2,94 MPa m1/2 Microindentació
Duresa 2800 Vicker's, càrrega de 500 g
Mòdul elàstic Mòdul Young 450 GPa 430 GPa Corba de 4 pts, Corba RT4 pt, 1300 °C
Mida del gra 2-10 µm SEM

Propietats tèrmiques del SiC

Conductivitat tèrmica 250 W/m °K Mètode de flaix làser, RT
Expansió tèrmica (CTE) 4,5 x 10-6 °K Temperatura ambient a 950 °C, dilatòmetre de sílice

Paràmetres tècnics

Article Unitat Dades
RBSiC (SiSiC) NBSiC SSiC RSiC OSiC
Contingut de SiC % 85 75 99 99,9 ≥99
Contingut lliure de silici % 15 0 0 0 0
Temperatura màxima de servei 1380 1450 1650 1620 1400
Densitat g/cm3 3.02 2,75-2,85 3.08-3.16 2,65-2,75 2,75-2,85
Porositat oberta % 0 13-15 0 15-18 7-8
Resistència a la flexió 20 ℃ Мpa 250 160 380 100 /
Resistència a la flexió 1200 ℃ Мpa 280 180 400 120 /
Mòdul d'elasticitat 20℃ Gpa 330 580 420 240 /
Mòdul d'elasticitat 1200 ℃ Gpa 300 / / 200 /
Conductivitat tèrmica 1200 ℃ W/mK 45 19.6 100-120 36.6 /
Coeficient d'expansió tèrmica K-1X10-6 4.5 4.7 4.1 4,69 /
HV Kg/mm2 2115 / 2800 / /

El recobriment de carbur de silici CVD a la superfície exterior dels productes ceràmics de carbur de silici recristalitzat pot assolir una puresa de més del 99,9999% per satisfer les necessitats dels clients de la indústria dels semiconductors.

Lloc de treball Semicera
Lloc de treball de semicera 2
Màquina d'equip
Processament CNN, neteja química, recobriment CVD
El nostre servei

  • Anterior:
  • Pròxim: