Notícies

  • Quins són els mètodes per polir les hòsties?

    Quins són els mètodes per polir les hòsties?

    De tots els processos implicats en la creació d'un xip, el destí final de l'hòstia és tallar-se en matrius individuals i empaquetar-se en petites caixes tancades amb només unes poques agulles exposades.El xip s'avaluarà en funció dels seus valors de llindar, resistència, corrent i tensió, però ningú no tindrà en compte...
    Llegeix més
  • La introducció bàsica del procés de creixement epitaxial de SiC

    La introducció bàsica del procés de creixement epitaxial de SiC

    La capa epitaxial és una pel·lícula d'un sol cristall específica cultivada a l'hòstia mitjançant un procés ep·itaxial, i l'hòstia de substrat i la pel·lícula epitaxial s'anomenen hòstia epitaxial.En fer créixer la capa epitaxial de carbur de silici al substrat conductor de carbur de silici, l'epitaxi homogeni de carbur de silici...
    Llegeix més
  • Punts clau del control de qualitat del procés d'embalatge de semiconductors

    Punts clau del control de qualitat del procés d'embalatge de semiconductors

    Punts clau per al control de qualitat en el procés d'embalatge de semiconductors Actualment, la tecnologia de procés per a l'embalatge de semiconductors ha millorat i optimitzat significativament.No obstant això, des d'una perspectiva global, els processos i mètodes per a l'embalatge de semiconductors encara no han arribat al més perfecte...
    Llegeix més
  • Reptes en el procés d'embalatge de semiconductors

    Reptes en el procés d'embalatge de semiconductors

    Les tècniques actuals per a l'embalatge de semiconductors estan millorant gradualment, però la mesura en què s'adopten equips i tecnologies automatitzades en l'envasament de semiconductors determina directament la realització dels resultats esperats.Els processos d'envasament de semiconductors existents encara pateixen...
    Llegeix més
  • Recerca i Anàlisi del Procés d'Embalatge de Semiconductors

    Recerca i Anàlisi del Procés d'Embalatge de Semiconductors

    Visió general del procés de semiconductors El procés de semiconductors consisteix principalment en l'aplicació de tecnologies de microfabricació i pel·lícules per connectar completament xips i altres elements dins de diverses regions, com ara substrats i marcs.Això facilita l'extracció de terminals de plom i l'encapsulació amb un...
    Llegeix més
  • Noves tendències en la indústria dels semiconductors: l'aplicació de la tecnologia de recobriment protector

    Noves tendències en la indústria dels semiconductors: l'aplicació de la tecnologia de recobriment protector

    La indústria dels semiconductors està assistint a un creixement sense precedents, especialment en l'àmbit de l'electrònica de potència de carbur de silici (SiC).Amb moltes fàbriques d'hòsties a gran escala en construcció o expansió per satisfer la creixent demanda de dispositius SiC en vehicles elèctrics, aquest ...
    Llegeix més
  • Quins són els passos principals en el processament de substrats de SiC?

    Quins són els passos principals en el processament de substrats de SiC?

    Com produïm els passos de processament dels substrats de SiC són els següents: 1. Orientació del cristall: Ús de la difracció de raigs X per orientar el lingot de cristall.Quan un feix de raigs X es dirigeix ​​a la cara del cristall desitjada, l'angle del feix difractat determina l'orientació del cristall.2. Diàmetre exterior Grindi...
    Llegeix més
  • Un material important que determina la qualitat del creixement del silici d'un sol cristall: camp tèrmic

    Un material important que determina la qualitat del creixement del silici d'un sol cristall: camp tèrmic

    El procés de creixement del silici monocristall es porta a terme completament en el camp tèrmic.Un bon camp tèrmic és propici per millorar la qualitat del cristall i té una alta eficiència de cristal·lització.El disseny del camp tèrmic determina en gran mesura els canvis i canvis...
    Llegeix més
  • Què és el creixement epitaxial?

    Què és el creixement epitaxial?

    El creixement epitaxial és una tecnologia que fa créixer una sola capa de cristall sobre un substrat d'un sol cristall (substrat) amb la mateixa orientació del cristall que el substrat, com si el cristall original s'hagués estès cap a l'exterior.Aquesta capa de cristall únic recentment cultivada pot ser diferent del substrat pel que fa a c...
    Llegeix més
  • Quina diferència hi ha entre el substrat i l'epitaxia?

    Quina diferència hi ha entre el substrat i l'epitaxia?

    En el procés de preparació de les hòsties, hi ha dos enllaços bàsics: un és la preparació del substrat i l'altre és la implementació del procés epitaxial.El substrat, una hòstia elaborada amb cura a partir de material de cristall únic semiconductor, es pot posar directament a la fabricació d'hòsties ...
    Llegeix més
  • Desvetllant les característiques versàtils dels escalfadors de grafit

    Desvetllant les característiques versàtils dels escalfadors de grafit

    Els escalfadors de grafit han sorgit com a eines indispensables en diverses indústries a causa de les seves propietats i versatilitat excepcionals.Des de laboratoris fins a entorns industrials, aquests escalfadors tenen un paper fonamental en processos que van des de la síntesi de materials fins a les tècniques analítiques.Entre els diversos...
    Llegeix més
  • Explicació detallada dels avantatges i desavantatges del gravat en sec i el gravat humit

    Explicació detallada dels avantatges i desavantatges del gravat en sec i el gravat humit

    En la fabricació de semiconductors, hi ha una tècnica anomenada "gravat" durant el processament d'un substrat o una pel·lícula fina formada sobre el substrat.El desenvolupament de la tecnologia de gravat ha jugat un paper important en la realització de la predicció feta pel fundador d'Intel Gordon Moore el 1965 que "...
    Llegeix més
123456Següent >>> Pàgina 1/7