Barril de reactor epitaxial recobert de carbur de silici

Imatge destacada del barril del reactor epitaxial recobert de carbur de silici

Descripció breu:

Semicera és una empresa d'alta tecnologia dedicada a la investigació de materials durant molts anys, amb un equip de R+D líder i R+D i fabricació integrades. Proporcioneu un barril de reactor epitaxial recobert de carbur de silici personalitzat per discutir amb els nostres experts tècnics com obtenir el millor rendiment i avantatge de mercat per als vostres productes.

Envieu-nos un correu electrònic

Detall del producte

Etiquetes de producte

Per què és un recobriment de carbur de silici?

En el camp dels semiconductors, l'estabilitat de cada component és molt important per a tot el procés. Tanmateix, en un entorn d'alta temperatura, el grafit s'oxida i es perd fàcilment, i el recobriment de SiC pot proporcionar una protecció estable per a les peces de grafit. En elSemiceraequip, tenim el nostre propi equip de processament de purificació de grafit, que pot controlar la puresa del grafit per sota de 5 ppm. La puresa del recobriment de carbur de silici és inferior a 0,5 ppm.

El nostre avantatge, per què triar Semicera?

✓Màxima qualitat al mercat xinès

✓Bon servei sempre per a tu, 7*24 hores

✓ Data de lliurament curta

✓Petit MOQ benvingut i acceptat

✓Serveis personalitzats

Aplicació

Susceptor de creixement de l'epitaxia

Les hòsties de silici/carbur de silici han de passar per diversos processos per utilitzar-les en dispositius electrònics. Un procés important és l'epitaxia de silici/sic, en què les hòsties de silici/sic es porten sobre una base de grafit. Els avantatges especials de la base de grafit recoberta de carbur de silici de Semicera inclouen una puresa extremadament alta, un recobriment uniforme i una vida útil extremadament llarga. També tenen una alta resistència química i estabilitat tèrmica.

Susceptor de l'epitaxia de silici

Susceptor d'epitaxi de carbur de silici

Producció de xips LED

Durant l'extens recobriment del reactor MOCVD, la base planetària o el portador mou l'hòstia del substrat. El rendiment del material base té una gran influència en la qualitat del recobriment, que al seu torn afecta la taxa de ferralla del xip. La base recoberta de carbur de silici de Semicera augmenta l'eficiència de fabricació de hòsties LED d'alta qualitat i minimitza la desviació de la longitud d'ona. També subministrem components addicionals de grafit per a tots els reactors MOCVD que s'utilitzen actualment. Podem revestir gairebé qualsevol component amb un recobriment de carbur de silici, fins i tot si el diàmetre del component és de fins a 1,5 M, encara podem recobrir amb carbur de silici.

Susceptor d'epitaxia LED

Camp de semiconductors, procés de difusió d'oxidació, Etc.

En el procés de semiconductors, el procés d'expansió d'oxidació requereix una gran puresa del producte, i a Semicera oferim serveis de recobriment personalitzat i CVD per a la majoria de peces de carbur de silici.

La imatge següent mostra la suspensió de carbur de silici processada en brut de Semicea i el tub del forn de carbur de silici que es neteja al 1000-nivellsense polshabitació. Els nostres treballadors estan treballant abans del revestiment. La puresa del nostre carbur de silici pot arribar al 99,99% i la puresa del recobriment sic és superior al 99,99995%..