En el camp dels semiconductors, l'estabilitat de cada component és molt important per a tot el procés.Tanmateix, en un entorn d'alta temperatura, el grafit s'oxida i es perd fàcilment, i el recobriment de SiC pot proporcionar una protecció estable per a les peces de grafit.En elSemiceraequip, tenim el nostre propi equip de processament de purificació de grafit, que pot controlar la puresa del grafit per sota de 5 ppm.La puresa del recobriment de carbur de silici també és inferior a 5 ppm.
✓Màxima qualitat al mercat xinès
✓Bon servei sempre per a tu, 7*24 hores
✓ Data de lliurament curta
✓Petit MOQ benvingut i acceptat
✓Serveis personalitzats
Susceptor de creixement de l'epitaxia
Les hòsties de silici/carbur de silici han de passar per diversos processos per utilitzar-les en dispositius electrònics.Un procés important és l'epitaxia de silici/sic, en què les hòsties de silici/sic es porten sobre una base de grafit.Els avantatges especials de la base de grafit recoberta de carbur de silici de Semicera inclouen una puresa extremadament alta, un recobriment uniforme i una vida útil extremadament llarga.També tenen una alta resistència química i estabilitat tèrmica.
Producció de xips LED
Durant l'extens recobriment del reactor MOCVD, la base planetària o el portador mou l'hòstia del substrat.El rendiment del material base té una gran influència en la qualitat del recobriment, que al seu torn afecta la taxa de ferralla del xip.La base recoberta de carbur de silici de Semicera augmenta l'eficiència de fabricació de hòsties LED d'alta qualitat i minimitza la desviació de la longitud d'ona.També subministrem components addicionals de grafit per a tots els reactors MOCVD que s'utilitzen actualment.Podem revestir gairebé qualsevol component amb un recobriment de carbur de silici, fins i tot si el diàmetre del component és de fins a 1,5 M, encara podem recobrir amb carbur de silici.
Camp de semiconductors, procés de difusió d'oxidació, Etc.
En el procés de semiconductors, el procés d'expansió d'oxidació requereix una gran puresa del producte, i a Semicera oferim serveis de recobriment personalitzat i CVD per a la majoria de peces de carbur de silici.
La imatge següent mostra la suspensió de carbur de silici processada en brut de Semicea i el tub del forn de carbur de silici que es neteja al 1000-nivellsense polshabitació.Els nostres treballadors estan treballant abans del revestiment.La puresa del nostre carbur de silici pot arribar al 99,98% i la puresa del recobriment sic és superior al 99,9995%..
Paleta de carbur de silici brut i tub de procés de SiC en neteja
Vaixell d'hòsties de carbur de silici recobert CVD de SiC
-
Reactor epitaxial recobert de SiC d'alta temperatura...
-
Elements calefactors de grafit per a forns industrials
-
Reactor de barril semi-ceras: impulsant la innovació i...
-
Semiconductor de silici monocristal·lí recobert de SiC...
-
Zona calenta de l'escalfador de grafit/camp calent de grafit, ca...
-
Cotxe de vaixell de cristall de carbur de silici semiconductor...