Descripció
ElSusceptors d'hòsties de carbur de silici (SiC).per MOCVD de semicera estan dissenyats per a processos epitaxials avançats, oferint un rendiment superior per a tots dosSi epitaxiaiEpitaxia SiCaplicacions. L'enfocament innovador de Semicera garanteix que aquests susceptors siguin duradors i eficients, proporcionant estabilitat i precisió per a les operacions de fabricació crítiques.
Dissenyat per donar suport a les complexes necessitats deSusceptor MOCVDsistemes, aquests productes són versàtils, compatibles amb suports com PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier i RTP Carrier. La seva flexibilitat els fa adequats per a indústries d'alta tecnologia, incloses les que treballenLED EpitaxialSusceptor i silici monocristal·lí.
Amb múltiples configuracions, incloent Barrel Susceptor i Pancake Susceptor, aquests susceptors d'hòsties també són essencials en el sector fotovoltaic, donant suport a la fabricació de peces fotovoltaiques. Per als fabricants de semiconductors, la capacitat de manejar GaN en processos d'Epitaxi de SiC fa que aquests susceptors siguin molt valuosos per garantir una sortida d'alta qualitat en una àmplia gamma d'aplicacions.
Característiques principals
1. Grafit recobert de SiC d'alta puresa
2. Resistència a la calor superior i uniformitat tèrmica
3. BéRevestiment de cristall de SiCper a una superfície llisa
4. Alta durabilitat davant la neteja química
Especificacions principals dels recobriments CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Densitat | (g/cc) | 3.21 |
| Resistència a la flexió | (Mpa) | 470 |
| Expansió tèrmica | (10-6/K) | 4 |
| Conductivitat tèrmica | (W/mK) | 300 |
Embalatge i enviament
Capacitat de subministrament:
10000 peces/peces al mes
Embalatge i lliurament:
Embalatge: embalatge estàndard i fort
Bossa de polièster + Caixa + Cartró + Palet
Port:
Ningbo/Shenzhen/Xangai
Temps de lliurament:
| Quantitat (peces) | 1-1000 | >1000 |
| Est. Temps (dies) | 30 | A negociar |
