Descripció
La nostra empresa ofereix serveis de procés de recobriment de SiC mitjançant el mètode CVD a la superfície de grafit, ceràmica i altres materials, de manera que els gasos especials que contenen carboni i silici reaccionin a alta temperatura per obtenir molècules de SiC d'alta puresa, molècules dipositades a la superfície dels materials recoberts, formant una capa protectora SIC.
Principals característiques
1. Resistència a l'oxidació a alta temperatura: la resistència a l'oxidació encara és molt bona quan la temperatura és tan alta com 1600 C.
2. Alta puresa: fet per deposició de vapor químic en condicions de cloració a alta temperatura.
3. Resistència a l'erosió: alta duresa, superfície compacta, partícules fines.
4. Resistència a la corrosió: àcid, àlcali, sal i reactius orgànics.
Especificacions principals del recobriment CVD-SIC
| Propietats SiC-CVD | ||
| Estructura de cristall | Fase β de la FCC | |
| Densitat | g/cm³ | 3.21 |
| Duresa | Duresa Vickers | 2500 |
| Mida del gra | μm | 2~10 |
| Puresa química | % | 99,99995 |
| Capacitat calorífica | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimació | ℃ | 2700 |
| Força felexural | MPa (RT de 4 punts) | 415 |
| Mòdul de Young | Gpa (corba de 4 punts, 1300 ℃) | 430 |
| Expansió tèrmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductivitat tèrmica | (W/mK) | 300 |
-
Zona calenta de l'escalfador de grafit/camp calent de grafit, ca...
-
Safates de pins de SiC per a processos de gravat ICP al...
-
Mitjanes peces per a equips epitaxials de SiC
-
Reactor recobert de carbur Reactor de barril
-
Barril de grafit recobert de SiC per al creixement epitaxial
-
Reactor epitaxial semiconductor recobert de SiC per a...