Procés de recobriment de SiC per a suports de grafit recoberts de SiC a base de grafit

Mantenim toleràncies molt estretes a l'hora d'aplicar elRecobriment de SiC, utilitzant mecanitzats d'alta precisió per garantir un perfil de susceptor uniforme.També produïm materials amb propietats de resistència elèctrica ideals per utilitzar-los en sistemes d'escalfament inductiu.Tots els components acabats vénen amb un certificat de puresa i compliment dimensional.

La nostra empresa ofereixRecobriment de SiCServeis de procés per mètode CVD a la superfície de grafit, ceràmica i altres materials, de manera que els gasos especials que contenen carboni i silici reaccionen a alta temperatura per obtenir molècules de SiC d'alta puresa, molècules dipositades a la superfície dels materials recoberts, formant una capa protectora de SIC.El SIC format està fermament unit a la base de grafit, donant propietats especials a la base de grafit, fent que la superfície del grafit sigui compacta, lliure de porositat, resistència a altes temperatures, resistència a la corrosió i resistència a l'oxidació.

El procés CVD ofereix una puresa extremadament alta i una densitat teòrica deRecobriment de SiCsense porositat.A més, com que el carbur de silici és molt dur, es pot polir fins a una superfície semblant a un mirall.Recobriment CVD de carbur de silici (SiC).va oferir diversos avantatges, com ara una superfície de puresa ultra alta i una durabilitat extrema al desgast.Com que els productes recoberts tenen un gran rendiment en circumstàncies de buit elevat i alta temperatura, són ideals per a aplicacions a la indústria de semiconductors i altres entorns ultra nets.També oferim productes de grafit pirolític (PG).