Casa
Sobre Nosaltres
Productes
Contacta amb nosaltres
Característica
Preguntes freqüents
Notícies
- Notícies de l'empresa
- Notícies de la indústria

Casa
Productes

Categories

Recobriment CVD SiC
Recobriment CVD TaC
Tecnologia de tractament de superfícies
Ceràmica de carbur de silici
Quars semiconductor
Productes de grafit semiconductors
- Grafit siliconat
- Components isostàtics de grafit
Fibra de carboni
Hòstia
Més productes ceràmics

Productes destacats

Peces personalitzades de recobriment de carbur de tantal TaC CVD
Anell recobert de carbur de tàntal
Efector ceràmic SiC d'alta precisió
Paleta en voladís de carbur de silici
Portador de grafit recobert de SiC de llarga vida útil per a...
Eina de grafit recobert de carbur de silici, per a Epitaxi C...
Safata MOCVD recoberta de SiC d'alta puresa antioxidació
Estructura de barril de recobriment de SiC per a susceptor de barril
Parts de la segona meitat de semiconductors per a epitaxis

Productes

Conductivitat tèrmica a alta temperatura del gresol de grafit d'argila de carbur de silici
Feltre suau de carboni i grafit
SiC resistent a altes temperatures combinat amb placa de coberta Si3N4
Vaixell quadrat de carbur de silici
Portador de vaixell de cristall de carbur de silici d'alta puresa
Proporcioneu equips avançats de tall per làser amb tecnologia LMJ microjet
Epitaxia GaN a base de silici
Tall de material avançat, equip de processament làser de micro jet
Equip de tecnologia làser microjet LMJ

<< < Anterior 32 33 34 35 36 37

informació

Perfil de l'empresa
Contacta amb nosaltres
Certificació i honor
Productes

nou butlletí

Per a consultes sobre els nostres productes o llista de preus, deixeu-nos el vostre correu electrònic i ens posarem en contacte en un termini de 24 hores.

Consulta per llista de preus

el nostre contacte

86-0574-8650 3783
Núm. 1958 Jiangnan Road, zona d'alta tecnologia de Ningbo, província de Zhejiang, 315201, Xina
sales01@semi-cera.com

© Copyright - 2018-2027 : Tots els drets reservats.Mapa del lloc
Feltre de grafit de Xina i feltre rígid, Si Hòstia, Epi Hòstia, carbur de tàntal, Recobriment de TaC, substrat de SiC,

Enviar correu electrònic