Semicera està orgullosa de presentar elGa2O3Substrat, un material d'avantguarda a punt per revolucionar l'electrònica de potència i l'optoelectrònica.Òxid de gal·li (Ga2O3) substratssón coneguts per la seva banda ultraamplia, cosa que els fa ideals per a dispositius d'alta potència i alta freqüència.
Característiques principals:
• Ultra-Wide Bandgap: Ga2O3 ofereix un interval de banda d'aproximadament 4,8 eV, millorant significativament la seva capacitat per manejar altes tensions i temperatures en comparació amb els materials tradicionals com el silici i el GaN.
• Alta tensió de ruptura: amb un camp de ruptura excepcional, elGa2O3Substratés perfecte per a dispositius que requereixen un funcionament d'alta tensió, assegurant una major eficiència i fiabilitat.
• Estabilitat tèrmica: L'estabilitat tèrmica superior del material el fa adequat per a aplicacions en entorns extrems, mantenint el rendiment fins i tot en condicions dures.
• Aplicacions versàtils: ideal per utilitzar-se en transistors de potència d'alta eficiència, dispositius optoelectrònics UV i més, proporcionant una base sòlida per a sistemes electrònics avançats.
Experimenta el futur de la tecnologia de semiconductors amb Semicera'sGa2O3Substrat. Dissenyat per satisfer les creixents demandes d'electrònica d'alta potència i alta freqüència, aquest substrat estableix un nou estàndard de rendiment i durabilitat. Confieu en Semicera per oferir solucions innovadores per a les vostres aplicacions més difícils.
| Elements | Producció | Recerca | Maniquí |
| Paràmetres de cristall | |||
| Politipus | 4H | ||
| Error d'orientació superficial | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paràmetres elèctrics | |||
| Dopant | Nitrogen de tipus n | ||
| Resistivitat | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Paràmetres mecànics | |||
| Diàmetre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Gruix | 350±25 μm | ||
| Orientació plana primària | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primària | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Pis secundari | Cap | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Arc | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Deformació | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugositat frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estructura | |||
| Densitat de microtubes | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impureses metàl·liques | ≤5E10àtoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ua/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualitat davantera | |||
| Davant | Si | ||
| Acabat superficial | Si-face CMP | ||
| Partícules | ≤60ea/hòstia (mida ≥0,3μm) | NA | |
| Esgarrapades | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diàmetre | Longitud acumulada ≤ 2 * Diàmetre | NA |
| Pela de taronja/foses/taques/estries/esquerdes/contaminació | Cap | NA | |
| Estelles de vora/sagnies/fractura/plaques hexagonals | Cap | ||
| Zones politipus | Cap | Àrea acumulada ≤20% | Àrea acumulada ≤30% |
| Marcatge làser frontal | Cap | ||
| Tornar Qualitat | |||
| Acabat posterior | CMP cara C | ||
| Esgarrapades | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2 * Diàmetre | NA | |
| Defectes posteriors (estelles de vora/sagnies) | Cap | ||
| Rugositat de l'esquena | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcatge làser posterior | 1 mm (des de la vora superior) | ||
| Edge | |||
| Edge | Xamfrà | ||
| Embalatge | |||
| Embalatge | Epi-ready amb envasat al buit Embalatge de casset multiwafer | ||
| *Notes: "NA" significa que no hi ha cap sol·licitud. Els elements no esmentats poden referir-se a SEMI-STD. | |||
