Semiceraofereix amb orgullGa2O3Epitaxia, una solució d'última generació dissenyada per superar els límits de l'electrònica de potència i l'optoelectrònica. Aquesta tecnologia epitaxial avançada aprofita les propietats úniques de l'òxid de gal·li (Ga2O3) per oferir un rendiment superior en aplicacions exigents.
Característiques principals:
• Bandgap ample excepcional: Ga2O3Epitaxiacompta amb un interval de banda ultra ample, que permet tensions de ruptura més altes i un funcionament eficient en entorns d'alta potència.
•Alta conductivitat tèrmica: La capa epitaxial proporciona una excel·lent conductivitat tèrmica, assegurant un funcionament estable fins i tot en condicions d'alta temperatura, la qual cosa la fa ideal per a dispositius d'alta freqüència.
•Qualitat de material superior: Aconseguiu una alta qualitat de cristall amb defectes mínims, assegurant un rendiment i una longevitat òptims del dispositiu, especialment en aplicacions crítiques com ara transistors de potència i detectors UV.
•Versatilitat en aplicacions: Perfectament adequat per a l'electrònica de potència, aplicacions de RF i optoelectrònica, proporcionant una base fiable per als dispositius semiconductors de nova generació.
Descobreix el potencial deGa2O3Epitaxiaamb les solucions innovadores de Semicera. Els nostres productes epitaxials estan dissenyats per complir amb els més alts estàndards de qualitat i rendiment, permetent que els vostres dispositius funcionin amb la màxima eficiència i fiabilitat. Trieu Semicera per a la tecnologia de semiconductors d'avantguarda.
| Elements | Producció | Recerca | Maniquí |
| Paràmetres de cristall | |||
| Politipus | 4H | ||
| Error d'orientació superficial | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paràmetres elèctrics | |||
| Dopant | Nitrogen de tipus n | ||
| Resistivitat | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Paràmetres mecànics | |||
| Diàmetre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Gruix | 350±25 μm | ||
| Orientació plana primària | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primària | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Pis secundari | Cap | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Arc | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Deformació | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugositat frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estructura | |||
| Densitat de microtubes | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impureses metàl·liques | ≤5E10àtoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ua/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualitat frontal | |||
| Davant | Si | ||
| Acabat superficial | Si-face CMP | ||
| Partícules | ≤60ea/hòstia (mida ≥0,3μm) | NA | |
| Esgarrapades | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diàmetre | Longitud acumulada ≤ 2 * Diàmetre | NA |
| Pela de taronja/foses/taques/estries/esquerdes/contaminació | Cap | NA | |
| Estelles de vora/sagnies/fractura/plaques hexagonals | Cap | ||
| Zones politipus | Cap | Àrea acumulada ≤20% | Àrea acumulada ≤30% |
| Marcatge làser frontal | Cap | ||
| Tornar Qualitat | |||
| Acabat posterior | CMP cara C | ||
| Esgarrapades | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2 * Diàmetre | NA | |
| Defectes posteriors (estelles de vora/sagnies) | Cap | ||
| Rugositat de l'esquena | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcatge làser posterior | 1 mm (des de la vora superior) | ||
| Edge | |||
| Edge | Xamfrà | ||
| Embalatge | |||
| Embalatge | Epi-ready amb envasat al buit Embalatge de casset multiwafer | ||
| *Notes: "NA" significa que no hi ha cap sol·licitud. Els elements no esmentats poden referir-se a SEMI-STD. | |||
