Semicera ofereix recobriments especialitzats de carbur de tàntal (TaC) per a diversos components i suports.El procés de recobriment líder de Semicera permet als recobriments de carbur de tàntal (TaC) aconseguir una gran puresa, estabilitat a alta temperatura i una alta tolerància química, millorant la qualitat del producte dels cristalls SIC/GAN i les capes EPI (Susceptor de TaC recobert de grafit), i allargant la vida útil dels components clau del reactor. L'ús del recobriment TaC de carbur de tàntal és per resoldre el problema de les vores i millorar la qualitat del creixement del cristall, i Semicera ha resolt la tecnologia de recobriment de carbur de tàntal (CVD), assolint el nivell avançat internacional.
Amb l'arribada de les hòsties de carbur de silici (SiC) de 8 polzades, els requisits per a diversos processos de semiconductors s'han tornat cada cop més estrictes, especialment per als processos d'epitaxia on les temperatures poden superar els 2000 graus centígrads. Els materials susceptors tradicionals, com el grafit recobert de carbur de silici, tendeixen a sublimar-se a aquestes altes temperatures, interrompent el procés d'epitaxia. No obstant això, el carbur de tàntal (TaC) CVD soluciona aquest problema amb eficàcia, suportant temperatures de fins a 2300 graus centígrads i oferint una vida útil més llarga. Contacta amb Semicera's Part de mitja lluna recoberta de carbur de tantal CVDper explorar més sobre les nostres solucions avançades.
Després d'anys de desenvolupament, Semicera ha conquerit la tecnologia deCVD TaCamb l'esforç conjunt del departament d'R+D. Els defectes són fàcils de produir en el procés de creixement de les hòsties de SiC, però després de l'úsTaC, la diferència és significativa. A continuació es mostra una comparació de les hòsties amb i sense TaC, així com les peces de Simicera per al creixement d'un sol cristall.
amb i sense TaC
Després d'utilitzar TaC (dreta)
A més, la de SemiceraProductes recoberts de TaCpresenten una vida útil més llarga i una major resistència a altes temperatures en comparació ambRecobriments de SiC.Les mesures de laboratori han demostrat que el nostreRecobriments TaCpot funcionar constantment a temperatures de fins a 2300 graus centígrads durant períodes prolongats. A continuació es mostren alguns exemples de les nostres mostres:
Susceptor recobert de TaC
Grafit amb reactor recobert de TaC
