Porta hòsties

Porta hòstiesés un component indispensable en el procés d'epitaxia. Semicera ofereix el millor suport per aSi epitaxiaiEpitaxia SiCprocessos mitjançant un disseny i fabricació excel·lents. El nostre suport d'hòsties pot garantir que l'hòstia romangui posicionada amb precisió durant el procés d'epitaxia, assegurant la uniformitat de la distribució de la calor i el flux d'aire, especialment jugant un paper clau enSusceptor MOCVDiSusceptor de barril. Tant si es tracta de la deposició de silici monocristal·lí (silici monocristal·lí) com del complex procés de deposició de vapor químic, el suport d'hòsties de Semicera pot garantir una estructura cristal·lina d'alta qualitat i un creixement estable de la capa epitaxial.

El suport d'hòstia de Semicera està fabricat amb materials resistents a altes temperatures d'alta qualitat, amb una resistència mecànica i estabilitat tèrmica extremadament alta, i es pot utilitzar durant molt de temps en entorns químics d'alta temperatura i complexos sense fallar. Sobretot en elSi epitaxiaiEpitaxia SiCprocessos, el suport d'hòsties de Semicera redueix la taxa defectuosa i la pèrdua d'hòsties en el procés mitjançant un control precís i una excel·lent selecció de material.

Oferim personalitzatHòstiaSuports per a diferents requisits de processos i equips, especialment en aplicacions MOCVD Susceptor i Barrel Susceptor. Els productes de Semicera no només augmenten la vida útil de l'equip, sinó que també milloren l'eficiència i l'estabilitat del procés d'epitaxia, assegurant que la producció de cada hòstia compleixi els estrictes estàndards de la indústria.

Semicera sempre s'ha compromès a oferir als clients suports d'hòsties d'alt rendiment, ja sigui per a R+D o producció en massa, per satisfer les diferents necessitats dels clients en els processos d'Epitaxia Si i SiC. Continuem innovant per garantir que els clients puguin obtenir la millor qualitat de producte i control de processos en el procés de fabricació de semiconductors.