Semicera presenta elPortador de casset d'hòsties, una solució crítica per al maneig segur i eficient de les hòsties de semiconductors. Aquest suport està dissenyat per complir els estrictes requisits de la indústria dels semiconductors, assegurant la protecció i la integritat de les vostres hòsties durant tot el procés de fabricació.
Característiques principals:
•Construcció robusta:ElPortador de casset d'hòstiesestà construït amb materials duradors i d'alta qualitat que suporten els rigors dels entorns de semiconductors, proporcionant una protecció fiable contra la contaminació i els danys físics.
•Alineació precisa:Dissenyat per a una alineació precisa de les hòsties, aquest portador garanteix que les hòsties es mantinguin de manera segura al seu lloc, minimitzant el risc de desalineació o danys durant el transport.
•Fàcil maneig:Dissenyat ergonòmicament per facilitar l'ús, el transportista simplifica el procés de càrrega i descàrrega, millorant l'eficiència del flux de treball en entorns de sala blanca.
•Compatibilitat:Compatible amb una àmplia gamma de mides i tipus d'hòsties, la qual cosa la fa versàtil per a diverses necessitats de fabricació de semiconductors.
Experimenta una protecció i comoditat incomparables amb Semicera'sPortador de casset d'hòsties. El nostre transportador està dissenyat per complir amb els estàndards més alts de fabricació de semiconductors, assegurant que les vostres hòsties es mantinguin en condicions prístes des del principi fins al final. Confieu en Semicera per oferir la qualitat i la fiabilitat que necessiteu per als vostres processos més crítics.
| Elements | Producció | Recerca | Maniquí |
| Paràmetres de cristall | |||
| Politipus | 4H | ||
| Error d'orientació superficial | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paràmetres elèctrics | |||
| Dopant | Nitrogen de tipus n | ||
| Resistivitat | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Paràmetres mecànics | |||
| Diàmetre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Gruix | 350±25 μm | ||
| Orientació plana primària | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primària | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Pis secundari | Cap | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Arc | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Deformació | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugositat frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estructura | |||
| Densitat de microtubes | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impureses metàl·liques | ≤5E10àtoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ua/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualitat davantera | |||
| Davant | Si | ||
| Acabat superficial | Si-face CMP | ||
| Partícules | ≤60ea/hòstia (mida ≥0,3μm) | NA | |
| Esgarrapades | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diàmetre | Longitud acumulada ≤ 2 * Diàmetre | NA |
| Pela de taronja/foses/taques/estries/esquerdes/contaminació | Cap | NA | |
| Estelles de vora/sagnies/fractura/plaques hexagonals | Cap | ||
| Zones politipus | Cap | Àrea acumulada ≤20% | Àrea acumulada ≤30% |
| Marcatge làser frontal | Cap | ||
| Tornar Qualitat | |||
| Acabat posterior | CMP cara C | ||
| Esgarrapades | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2 * Diàmetre | NA | |
| Defectes posteriors (estelles de vora/sagnies) | Cap | ||
| Rugositat de l'esquena | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcatge làser posterior | 1 mm (des de la vora superior) | ||
| Edge | |||
| Edge | Xamfrà | ||
| Embalatge | |||
| Embalatge | Epi-ready amb envasat al buit Embalatge de casset multiwafer | ||
| *Notes: "NA" significa que no hi ha cap sol·licitud. Els elements no esmentats poden referir-se a SEMI-STD. | |||
