Semicera està orgullosa de presentar-loSusceptor d'hòstia recobert de TaC, que està especialment desenvolupat per satisfer les necessitats dels processos d'alta temperatura, utilitzant un innovador procés de recobriment CVD per proporcionar excel·lents propietats de carbur de tantal. El nostre Wafer Susceptor funciona bé en atmosferes d'alta temperatura i corrosives, mostrant una excel·lent inercia química i estabilitat tèrmica, garantint un funcionament fiable en entorns extrems.
Aquest susceptor d'hòsties utilitza alta qualitatRecobriment de TaC, que no només millora significativament la resistència al desgast, sinó que també resisteix eficaçment la corrosió química, assegurant una llarga vida útil. Ja sigui en epitaxia de silici, creixement o altres aplicacions de semiconductors, el susceptor d'hòsties recoberts de TaC de Semicera pot oferir als usuaris un rendiment de processament estable i eficient.
Semicera sempre s'ha compromès a oferir als clients materials i tecnologies avançades. El nostreSusceptor d'hòstia recobert de TaCse sotmet a un estricte control de qualitat durant el procés de disseny i fabricació per garantir que cada producte compleix els estàndards més alts. Continuem millorant les formulacions de materials i els processos per ajudar els clients a aconseguir una major eficiència de producció i qualitat del producte en la fabricació de semiconductors complexos.
Quan trieu la de SemiceraSusceptor d'hòsties de recobriment TaC, obteniu un producte superior que garanteix un rendiment excepcional en entorns d'alta temperatura i corrosius, ajudant a les vostres aplicacions industrials a assolir noves altures.
amb i sense TaC
Després d'utilitzar TaC (dreta)
