Recobriment CVD TaC

 

Introducció al recobriment CVD TaC:

 

El recobriment CVD TaC és una tecnologia que utilitza la deposició química de vapor per dipositar el recobriment de carbur de tàntal (TaC) a la superfície d'un substrat. El carbur de tàntal és un material ceràmic d'alt rendiment amb excel·lents propietats mecàniques i químiques. El procés CVD genera una pel·lícula de TaC uniforme a la superfície del substrat mitjançant la reacció de gas.

 

Característiques principals:

 

Excel·lent duresa i resistència al desgast: El carbur de tàntal té una duresa extremadament alta i el recobriment CVD TaC pot millorar significativament la resistència al desgast del substrat. Això fa que el recobriment sigui ideal per a aplicacions en entorns de gran desgast, com ara eines de tall i motlles.

Estabilitat a alta temperatura: Els recobriments de TaC protegeixen els components crítics del forn i del reactor a temperatures de fins a 2200 °C, demostrant una bona estabilitat. Manté l'estabilitat química i mecànica en condicions de temperatura extremes, el que el fa adequat per al processament a alta temperatura i aplicacions en entorns d'alta temperatura.

Excel·lent estabilitat química: El carbur de tàntal té una forta resistència a la corrosió a la majoria dels àcids i àlcalis, i el recobriment CVD TaC pot prevenir eficaçment el dany al substrat en entorns corrosius.

Alt punt de fusió: El carbur de tàntal té un punt de fusió elevat (aproximadament 3880 °C), permetent que el recobriment CVD TaC s'utilitzi en condicions d'alta temperatura extrema sense fondre ni degradar-se.

Excel·lent conductivitat tèrmica: El recobriment de TaC té una alta conductivitat tèrmica, que ajuda a dissipar la calor de manera eficaç en processos d'alta temperatura i evitar el sobreescalfament local.

 

Aplicacions potencials:

 

• Components del reactor CVD epitaxial de nitrur de gal·li (GaN) i carbur de silici, inclosos suports d'hòsties, antenes parabòliques, capçals de dutxa, sostres i susceptors

• Components de creixement de cristalls de carbur de silici, nitrur de gal·li i nitrur d'alumini (AlN), com ara gresols, suports de llavors, anells de guia i filtres

• Components industrials que inclouen elements de calefacció de resistència, broquets d'injecció, anells d'emmascarament i màquines de soldadura

 

Característiques de l'aplicació:

 

• Temperatura estable per sobre de 2000°C, permetent el funcionament a temperatures extremes
•Resistent a l'hidrogen (Hz), amoníac (NH3), monosilà (SiH4) i silici (Si), proporcionant protecció en entorns químics durs
• La seva resistència al xoc tèrmic permet cicles de funcionament més ràpids
• El grafit té una forta adherència, assegurant una llarga vida útil i sense delaminació del recobriment.
• Puresa ultra alta per eliminar impureses o contaminants innecessaris
• Cobertura de recobriment de conformació amb toleràncies dimensionals ajustades

 

Especificacions tècniques:

 

Preparació de recobriments densos de carbur de tàntal mitjançant CVD

 Revestiment de carbur de tantal per mètode CVD

Recobriment TAC amb alta cristalinitat i excel·lent uniformitat:

 Recobriment TAC amb alta cristalinitat i excel·lent uniformitat

 

 

CVD TAC COATING Paràmetres tècnics_Semicera:

 

Propietats físiques del recobriment de TaC
Densitat 14,3 (g/cm³)
Concentració a granel 8 x 1015/cm
Emissivitat específica 0,3
Coeficient de dilatació tèrmica 6.3 10-6/K
Duresa (HK) 2000 HK
Resistivitat a granel 4,5 ohms-cm
Resistència 1x10-5Ohm*cm
Estabilitat tèrmica <2500 ℃
Mobilitat 237 cm2/Vs
La mida del grafit canvia -10~-20um
Gruix del recobriment ≥20um valor típic (35um+10um)

 

Els anteriors són valors típics.