SOI Wafer Silicon On Aïllant

Descripció breu:

El SOI Wafer (Silicon On Insulator) de Semicera proporciona un aïllament elèctric i un rendiment excepcionals per a aplicacions avançades de semiconductors. Dissenyades per a una eficiència tèrmica i elèctrica superior, aquestes hòsties són ideals per a circuits integrats d'alt rendiment. Trieu Semicera per la qualitat i la fiabilitat de la tecnologia d'hòsties SOI.


Detall del producte

Etiquetes de producte

La Hòstia SOI de Semicera (Silicon On Insulator) està dissenyada per oferir un aïllament elèctric i un rendiment tèrmic superiors. Aquesta innovadora estructura d'hòsties, amb una capa de silici sobre una capa aïllant, garanteix un rendiment millorat del dispositiu i un consum d'energia reduït, el que el fa ideal per a una varietat d'aplicacions d'alta tecnologia.

Les nostres hòsties SOI ofereixen avantatges excepcionals per als circuits integrats mitjançant la minimització de la capacitat parasitària i la millora de la velocitat i l'eficiència del dispositiu. Això és crucial per a l'electrònica moderna, on l'alt rendiment i l'eficiència energètica són essencials tant per a les aplicacions de consum com per a les industrials.

Semicera utilitza tècniques de fabricació avançades per produir hòsties SOI amb una qualitat i fiabilitat constants. Aquestes hòsties proporcionen un excel·lent aïllament tèrmic, la qual cosa les fa adequades per al seu ús en entorns on la dissipació de calor és una preocupació, com en dispositius electrònics d'alta densitat i sistemes de gestió d'energia.

L'ús de hòsties SOI en la fabricació de semiconductors permet el desenvolupament de xips més petits, més ràpids i més fiables. El compromís de Semicera amb l'enginyeria de precisió garanteix que les nostres hòsties SOI compleixin els alts estàndards requerits per a les tecnologies d'avantguarda en camps com les telecomunicacions, l'automoció i l'electrònica de consum.

Escollir el SOI Wafer de Semicera significa invertir en un producte que admeti l'avenç de les tecnologies electròniques i microelectròniques. Les nostres hòsties estan dissenyades per oferir un rendiment i una durabilitat millorats, contribuint a l'èxit dels vostres projectes d'alta tecnologia i garantint que us mantingueu a l'avantguarda de la innovació.

Elements

Producció

Recerca

Maniquí

Paràmetres de cristall

Politipus

4H

Error d'orientació superficial

<11-20 >4±0,15°

Paràmetres elèctrics

Dopant

Nitrogen de tipus n

Resistivitat

0,015-0,025 ohm·cm

Paràmetres mecànics

Diàmetre

150,0 ± 0,2 mm

Gruix

350±25 μm

Orientació plana primària

[1-100]±5°

Longitud plana primària

47,5 ± 1,5 mm

Pis secundari

Cap

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 μm (5mm * 5mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Arc

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Deformació

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugositat frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Estructura

Densitat de microtubes

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impureses metàl·liques

≤5E10àtoms/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ua/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualitat davantera

Davant

Si

Acabat superficial

Si-face CMP

Partícules

≤60ea/hòstia (mida ≥0,3μm)

NA

Esgarrapades

≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diàmetre

Longitud acumulada ≤ 2 * Diàmetre

NA

Pela de taronja/foses/taques/estries/esquerdes/contaminació

Cap

NA

Estelles de vora/sagnies/fractura/plaques hexagonals

Cap

Zones politipus

Cap

Àrea acumulada ≤20%

Àrea acumulada ≤30%

Marcatge làser frontal

Cap

Tornar Qualitat

Acabat posterior

CMP cara C

Esgarrapades

≤5ea/mm, longitud acumulada≤2 * Diàmetre

NA

Defectes posteriors (estelles de vora/sagnies)

Cap

Rugositat de l'esquena

Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Marcatge làser posterior

1 mm (des de la vora superior)

Edge

Edge

Xamfrà

Embalatge

Embalatge

Epi-ready amb envasat al buit

Embalatge de casset multiwafer

*Notes: "NA" significa que no hi ha cap sol·licitud. Els elements no esmentats poden referir-se a SEMI-STD.

mida_tecnològica_1_2
Hòsties de SiC

  • Anterior:
  • Següent: