Els substrats simples de ceràmica SiN de Semicera proporcionen una solució d'alt rendiment per a una varietat d'aplicacions electròniques i industrials. Coneguts per la seva excel·lent conductivitat tèrmica i resistència mecànica, aquests substrats garanteixen un funcionament fiable en entorns exigents.
Les nostres ceràmiques SiN (nitrur de silici) estan dissenyades per manejar temperatures extremes i condicions d'alt estrès, la qual cosa les fa aptes per a electrònica d'alta potència i dispositius avançats de semiconductors. La seva durabilitat i resistència al xoc tèrmic els fan ideals per al seu ús en aplicacions on la fiabilitat i el rendiment són crítics.
Els processos de fabricació de precisió de Semicera garanteixen que cada substrat llis compleix amb rigorosos estàndards de qualitat. Això dóna lloc a substrats amb un gruix i una qualitat superficial consistents, que són essencials per aconseguir un rendiment òptim en conjunts i sistemes electrònics.
A més dels seus avantatges tèrmiques i mecàniques, els substrats simples de ceràmica SiN ofereixen excel·lents propietats d'aïllament elèctric. Això garanteix una interferència elèctrica mínima i contribueix a l'estabilitat i eficiència generals dels components electrònics, millorant la seva vida útil.
En seleccionar els substrats simples de ceràmica SiN de Semicera, esteu escollint un producte que combina ciència de materials avançada amb una fabricació de primer nivell. El nostre compromís amb la qualitat i la innovació garanteix que rebeu substrats que compleixen els més alts estàndards de la indústria i donen suport a l'èxit dels vostres projectes de tecnologia avançada.
| Elements | Producció | Recerca | Maniquí |
| Paràmetres de cristall | |||
| Politipus | 4H | ||
| Error d'orientació superficial | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paràmetres elèctrics | |||
| Dopant | Nitrogen de tipus n | ||
| Resistivitat | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Paràmetres mecànics | |||
| Diàmetre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Gruix | 350±25 μm | ||
| Orientació plana primària | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primària | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Pis secundari | Cap | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Arc | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Deformació | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugositat frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estructura | |||
| Densitat de microtubes | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impureses metàl·liques | ≤5E10àtoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ua/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualitat davantera | |||
| Davant | Si | ||
| Acabat superficial | Si-face CMP | ||
| Partícules | ≤60ea/hòstia (mida ≥0,3μm) | NA | |
| Esgarrapades | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diàmetre | Longitud acumulada ≤ 2 * Diàmetre | NA |
| Pela de taronja/foses/taques/estries/esquerdes/contaminació | Cap | NA | |
| Estelles de vora/sagnies/fractura/plaques hexagonals | Cap | ||
| Zones politipus | Cap | Àrea acumulada ≤20% | Àrea acumulada ≤30% |
| Marcatge làser frontal | Cap | ||
| Tornar Qualitat | |||
| Acabat posterior | CMP cara C | ||
| Esgarrapades | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2 * Diàmetre | NA | |
| Defectes posteriors (estelles de vora/sagnies) | Cap | ||
| Rugositat de l'esquena | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcatge làser posterior | 1 mm (des de la vora superior) | ||
| Edge | |||
| Edge | Xamfrà | ||
| Embalatge | |||
| Embalatge | Epi-ready amb envasat al buit Embalatge de casset multiwafer | ||
| *Notes: "NA" significa que no hi ha cap sol·licitud. Els elements no esmentats poden referir-se a SEMI-STD. | |||
