Les hòsties de silici Semicera estan dissenyades meticulosament per servir de base per a una àmplia gamma de dispositius semiconductors, des de microprocessadors fins a cèl·lules fotovoltaiques. Aquestes hòsties estan dissenyades amb alta precisió i puresa, garantint un rendiment òptim en diverses aplicacions electròniques.
Fabricades amb tècniques avançades, les hòsties de silici Semicera presenten una planitud i uniformitat excepcionals, que són crucials per aconseguir alts rendiments en la fabricació de semiconductors. Aquest nivell de precisió ajuda a minimitzar els defectes i a millorar l'eficiència global dels components electrònics.
La qualitat superior de les hòsties de silici Semicera és evident en les seves característiques elèctriques, que contribueixen a millorar el rendiment dels dispositius semiconductors. Amb nivells baixos d'impureses i alta qualitat de cristall, aquestes hòsties proporcionen la plataforma ideal per desenvolupar electrònica d'alt rendiment.
Disponibles en diferents mides i especificacions, Semicera Silicon Wafers es poden adaptar per satisfer les necessitats específiques de diferents indústries, com ara la informàtica, les telecomunicacions i les energies renovables. Ja sigui per a la fabricació a gran escala o la investigació especialitzada, aquestes hòsties ofereixen resultats fiables.
Semicera es compromet a donar suport al creixement i la innovació de la indústria dels semiconductors proporcionant hòsties de silici d'alta qualitat que compleixen els estàndards més alts de la indústria. Amb un enfocament en la precisió i la fiabilitat, Semicera permet als fabricants superar els límits de la tecnologia, assegurant que els seus productes es mantinguin a l'avantguarda del mercat.
| Elements | Producció | Recerca | Maniquí |
| Paràmetres de cristall | |||
| Politipus | 4H | ||
| Error d'orientació superficial | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paràmetres elèctrics | |||
| Dopant | Nitrogen de tipus n | ||
| Resistivitat | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Paràmetres mecànics | |||
| Diàmetre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Gruix | 350±25 μm | ||
| Orientació plana primària | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primària | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Pis secundari | Cap | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Arc | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Deformació | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugositat frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estructura | |||
| Densitat de microtubes | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impureses metàl·liques | ≤5E10àtoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ua/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualitat frontal | |||
| Davant | Si | ||
| Acabat superficial | Si-face CMP | ||
| Partícules | ≤60ea/hòstia (mida ≥0,3μm) | NA | |
| Esgarrapades | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diàmetre | Longitud acumulada ≤ 2 * Diàmetre | NA |
| Pela de taronja/foses/taques/estries/esquerdes/contaminació | Cap | NA | |
| Estelles de vora/sagnies/fractura/plaques hexagonals | Cap | ||
| Zones politipus | Cap | Àrea acumulada ≤20% | Àrea acumulada ≤30% |
| Marcatge làser frontal | Cap | ||
| Tornar Qualitat | |||
| Acabat posterior | CMP cara C | ||
| Esgarrapades | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2 * Diàmetre | NA | |
| Defectes posteriors (estelles de vora/sagnies) | Cap | ||
| Rugositat de l'esquena | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcatge làser posterior | 1 mm (des de la vora superior) | ||
| Edge | |||
| Edge | Xamfrà | ||
| Embalatge | |||
| Embalatge | Epi-ready amb envasat al buit Embalatge de casset multiwafer | ||
| *Notes: "NA" significa que no hi ha cap sol·licitud. Els elements no esmentats poden referir-se a SEMI-STD. | |||
