Substrat de silici

Descripció breu:

Els substrats de silici Semicera estan dissenyats amb precisió per a aplicacions d'alt rendiment en la fabricació d'electrònica i semiconductors. Amb una puresa i uniformitat excepcionals, aquests substrats estan dissenyats per suportar processos tecnològics avançats. Semicera garanteix una qualitat i fiabilitat constants per als vostres projectes més exigents.

Envieu-nos un correu electrònic

Detall del producte

Etiquetes de producte

Els substrats de silici Semicera estan dissenyats per satisfer les demandes rigoroses de la indústria dels semiconductors, oferint una qualitat i precisió inigualables. Aquests substrats proporcionen una base fiable per a diverses aplicacions, des de circuits integrats fins a cèl·lules fotovoltaiques, assegurant un rendiment i una longevitat òptims.

L'alta puresa dels substrats de silici Semicera garanteix defectes mínims i característiques elèctriques superiors, que són crítiques per a la producció de components electrònics d'alta eficiència. Aquest nivell de puresa ajuda a reduir la pèrdua d'energia i a millorar l'eficiència global dels dispositius semiconductors.

Semicera utilitza tècniques de fabricació d'última generació per produir substrats de silici amb una uniformitat i planitud excepcionals. Aquesta precisió és essencial per aconseguir resultats consistents en la fabricació de semiconductors, on fins i tot la més petita variació pot afectar el rendiment i el rendiment del dispositiu.

Disponibles en una varietat de mides i especificacions, els substrats de silici Semicera cobreixen una àmplia gamma de necessitats industrials. Tant si esteu desenvolupant microprocessadors d'avantguarda com panells solars, aquests substrats proporcionen la flexibilitat i la fiabilitat requerides per a la vostra aplicació específica.

Semicera es dedica a donar suport a la innovació i l'eficiència en la indústria dels semiconductors. En proporcionar substrats de silici d'alta qualitat, permetem als fabricants superar els límits de la tecnologia, oferint productes que compleixen les demandes en evolució del mercat. Confieu en Semicera per a les vostres solucions electròniques i fotovoltaiques de nova generació.

Elements	Producció	Recerca	Maniquí
Paràmetres de cristall
Politipus	4H
Error d'orientació superficial	<11-20 >4±0,15°
Paràmetres elèctrics
Dopant	Nitrogen de tipus n
Resistivitat	0,015-0,025 ohm·cm
Paràmetres mecànics
Diàmetre	150,0 ± 0,2 mm
Gruix	350±25 μm
Orientació plana primària	[1-100]±5°
Longitud plana primària	47,5 ± 1,5 mm
Pis secundari	Cap
TTV	≤5 μm	≤10 μm	≤15 μm
LTV	≤3 μm (5mm * 5mm)	≤5 μm (5mm * 5mm)	≤10 μm (5 mm * 5 mm)
Arc	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
Deformació	≤35 μm	≤45 μm	≤55 μm
Rugositat frontal (Si-face) (AFM)	Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm)
Estructura
Densitat de microtubes	<1 ea/cm2	<10 ea/cm2	<15 ea/cm2
Impureses metàl·liques	≤5E10àtoms/cm2		NA
BPD	≤1500 ea/cm2	≤3000 ea/cm2	NA
TSD	≤500 ua/cm2	≤1000 ea/cm2	NA
Qualitat davantera
Davant	Si
Acabat superficial	Si-face CMP
Partícules	≤60ea/hòstia (mida ≥0,3μm)	NA
Esgarrapades	≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diàmetre	Longitud acumulada ≤ 2 * Diàmetre	NA
Pela de taronja/foses/taques/estries/esquerdes/contaminació	Cap		NA
Estelles de vora/sagnies/fractura/plaques hexagonals	Cap
Zones politipus	Cap	Àrea acumulada ≤20%	Àrea acumulada ≤30%
Marcatge làser frontal	Cap
Tornar Qualitat
Acabat posterior	CMP cara C
Esgarrapades	≤5ea/mm, longitud acumulada≤2 * Diàmetre	NA
Defectes posteriors (estelles de vora/sagnies)	Cap
Rugositat de l'esquena	Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm)
Marcatge làser posterior	1 mm (des de la vora superior)
Edge
Edge	Xamfrà
Embalatge
Embalatge	Epi-ready amb envasat al buit Embalatge de casset multiwafer
*Notes: "NA" significa que no hi ha cap sol·licitud. Els elements no esmentats poden referir-se a SEMI-STD.