Els substrats de silici Semicera estan dissenyats per satisfer les demandes rigoroses de la indústria dels semiconductors, oferint una qualitat i precisió inigualables. Aquests substrats proporcionen una base fiable per a diverses aplicacions, des de circuits integrats fins a cèl·lules fotovoltaiques, assegurant un rendiment i una longevitat òptims.
L'alta puresa dels substrats de silici Semicera garanteix defectes mínims i característiques elèctriques superiors, que són crítiques per a la producció de components electrònics d'alta eficiència. Aquest nivell de puresa ajuda a reduir la pèrdua d'energia i a millorar l'eficiència global dels dispositius semiconductors.
Semicera utilitza tècniques de fabricació d'última generació per produir substrats de silici amb una uniformitat i planitud excepcionals. Aquesta precisió és essencial per aconseguir resultats consistents en la fabricació de semiconductors, on fins i tot la més petita variació pot afectar el rendiment i el rendiment del dispositiu.
Disponibles en una varietat de mides i especificacions, els substrats de silici Semicera cobreixen una àmplia gamma de necessitats industrials. Tant si esteu desenvolupant microprocessadors d'avantguarda com panells solars, aquests substrats proporcionen la flexibilitat i la fiabilitat requerides per a la vostra aplicació específica.
Semicera es dedica a donar suport a la innovació i l'eficiència en la indústria dels semiconductors. En proporcionar substrats de silici d'alta qualitat, permetem als fabricants superar els límits de la tecnologia, oferint productes que compleixen les demandes en evolució del mercat. Confieu en Semicera per a les vostres solucions electròniques i fotovoltaiques de nova generació.
| Elements | Producció | Recerca | Maniquí |
| Paràmetres de cristall | |||
| Politipus | 4H | ||
| Error d'orientació superficial | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paràmetres elèctrics | |||
| Dopant | Nitrogen de tipus n | ||
| Resistivitat | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Paràmetres mecànics | |||
| Diàmetre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Gruix | 350±25 μm | ||
| Orientació plana primària | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primària | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Pis secundari | Cap | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Arc | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Deformació | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugositat frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estructura | |||
| Densitat de microtubes | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impureses metàl·liques | ≤5E10àtoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ua/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualitat davantera | |||
| Davant | Si | ||
| Acabat superficial | Si-face CMP | ||
| Partícules | ≤60ea/hòstia (mida ≥0,3μm) | NA | |
| Esgarrapades | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diàmetre | Longitud acumulada ≤ 2 * Diàmetre | NA |
| Pela de taronja/foses/taques/estries/esquerdes/contaminació | Cap | NA | |
| Estelles de vora/sagnies/fractura/plaques hexagonals | Cap | ||
| Zones politipus | Cap | Àrea acumulada ≤20% | Àrea acumulada ≤30% |
| Marcatge làser frontal | Cap | ||
| Tornar Qualitat | |||
| Acabat posterior | CMP cara C | ||
| Esgarrapades | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2 * Diàmetre | NA | |
| Defectes posteriors (estelles de vora/sagnies) | Cap | ||
| Rugositat de l'esquena | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcatge làser posterior | 1 mm (des de la vora superior) | ||
| Edge | |||
| Edge | Xamfrà | ||
| Embalatge | |||
| Embalatge | Epi-ready amb envasat al buit Embalatge de casset multiwafer | ||
| *Notes: "NA" significa que no hi ha cap sol·licitud. Els elements no esmentats poden referir-se a SEMI-STD. | |||
