Descripció
La nostra empresa ofereixRecobriment de SiCserveis de procés mitjançant el mètode CVD a la superfície de grafit, ceràmica i altres materials, de manera que els gasos especials que contenen carboni i silici reaccionin a alta temperatura per obtenir molècules de SiC d'alta puresa, molècules dipositades a la superfície delrecobertmaterials, formant una capa protectora SIC.
Les característiques dels capçals de dutxa SiC són les següents:
1. Resistència a la corrosió: el material SiC té una excel·lent resistència a la corrosió i pot suportar l'erosió de diversos líquids i solucions químiques, i és adequat per a diversos processos de processament químic i tractament de superfícies.
2. Estabilitat a alta temperatura:Broquets de SiCpoden mantenir l'estabilitat estructural en entorns d'alta temperatura i són adequats per a aplicacions que requereixen tractament a alta temperatura.
3. Polvorització uniforme:Broquet de SiCEl disseny té un bon rendiment de control de polvorització, que pot aconseguir una distribució uniforme del líquid i garantir que el líquid de tractament quedi uniformement cobert a la superfície objectiu.
4. Alta resistència al desgast: el material SiC té una gran duresa i resistència al desgast i pot suportar l'ús i la fricció a llarg termini.
Els capçals de dutxa de SiC s'utilitzen àmpliament en processos de tractament de líquids en la fabricació de semiconductors, processament químic, recobriment de superfícies, galvanoplastia i altres camps industrials. Pot proporcionar efectes de polvorització estables, uniformes i fiables per garantir la qualitat i la consistència del processament i tractament.
Característiques principals
1. Resistència a l'oxidació a alta temperatura:
la resistència a l'oxidació encara és molt bona quan la temperatura és tan alta com 1600 C.
2. Alta puresa: fet per deposició química de vapor en condicions de cloració a alta temperatura.
3. Resistència a l'erosió: alta duresa, superfície compacta, partícules fines.
4. Resistència a la corrosió: àcid, àlcali, sal i reactius orgànics.
Especificacions principals del recobriment CVD-SIC
Propietats SiC-CVD | ||
Estructura de cristall | Fase β de la FCC | |
Densitat | g/cm³ | 3.21 |
Duresa | Duresa Vickers | 2500 |
Mida del gra | μm | 2~10 |
Puresa química | % | 99,99995 |
Capacitat calorífica | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
Temperatura de sublimació | ℃ | 2700 |
Força felexural | MPa (RT de 4 punts) | 415 |
Mòdul de Young | Gpa (corba de 4 punts, 1300 ℃) | 430 |
Expansió tèrmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Conductivitat tèrmica | (W/mK) | 300 |
![Lloc de treball Semicera](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-Work-place3.jpg)
![Lloc de treball de semicera 2](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-work-place-23.jpg)
![Màquina d'equip](http://www.semi-cera.com/uploads/Equipment-machine3.jpg)
![Processament CNN, neteja química, recobriment CVD](http://www.semi-cera.com/uploads/CNN-processing-chemical-cleaning-CVD-coating3.jpg)
![Magatzem Semicera](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-Ware-House2.jpg)
![El nostre servei](http://www.semi-cera.com/uploads/Our-service4.jpg)
-
Susceptors de grafit amb recobriment de carbur de silici...
-
Equip MOCVD de 41 peces de 4 polzades de base de grafit...
-
Epitaxia GaN a base de silici
-
Tall de material avançat, procés làser de micro jet...
-
Parts de la segona meitat per a deflectors inferiors en epitàxia...
-
ALD Susceptor planetari de deposició de la capa atòmica