Descripció
Els transportadors d'hòsties Semicorex amb recobriment de SiC proporcionen una estabilitat tèrmica i una conductivitat excepcionals, garantint una distribució uniforme de la calor durant els processos CVD, crucial per a les característiques de pel·lícula fina i recobriment d'alta qualitat.
Característiques principals:
1. Excel·lent estabilitat tèrmica i conductivitatEls nostres suports d'hòsties recoberts de SiC excel·lent en el manteniment de temperatures estables i constants, crucials per als processos CVD. Això garanteix una distribució uniforme de la calor, donant lloc a una pel·lícula fina i una qualitat de recobriment superior.
2. Fabricació de precisióCada suport d'hòsties es fabrica amb estàndards exigents, assegurant un gruix uniforme i una suavitat superficial. Aquesta precisió és vital per aconseguir taxes de deposició i propietats de pel·lícula consistents en múltiples hòsties, millorant la qualitat general de fabricació.
3. Barrera d'impuresesEl recobriment de SiC actua com una barrera impermeable, evitant la difusió d'impureses del susceptor a l'hòstia. Això minimitza els riscos de contaminació, que és fonamental per produir dispositius semiconductors d'alta puresa.
4. Durabilitat i rendibilitatLa construcció robusta i el recobriment de SiC milloren la durabilitat dels suports d'hòsties, reduint la freqüència de substitucions de susceptors. Això condueix a menors costos de manteniment i temps d'inactivitat al mínim, augmentant l'eficiència de les operacions de fabricació de semiconductors.
5. Opcions de personalitzacióEls suports d'hòsties Semicorex amb recobriment de SiC es poden personalitzar per satisfer els requisits específics del procés, incloses les variacions de mida, forma i gruix de recobriment. Aquesta flexibilitat permet l'optimització del susceptor per satisfer les demandes úniques dels diferents processos de fabricació de semiconductors. Les opcions de personalització permeten el desenvolupament de dissenys de susceptors adaptats a aplicacions especialitzades, com ara la fabricació de grans volums o la investigació i desenvolupament, garantint un rendiment òptim per a casos d'ús específics.
Aplicacions:
Els suports d'hòsties de Semicera amb recobriment de SiC són ideals per a:
• Creixement epitaxial de materials semiconductors
• Processos de deposició química en vapor (CVD).
• Producció de hòsties de semiconductors d'alta qualitat
• Aplicacions avançades de fabricació de semiconductors
Especificacions tècniques:
