Vaixell d'hòsties de carbur de silici

Descripció breu:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. és un proveïdor líder de ceràmica avançada de semiconductors i l'únic fabricant a la Xina que pot proporcionar simultàniament ceràmica de carbur de silici d'alta puresa (especialment laRecristal·litzat recobriment de SiC) i CVD SiC. A més, la nostra empresa també aposta per camps ceràmics com l'alúmina, el nitrur d'alumini, el zirconi i el nitrur de silici, etc.

Envieu-nos un correu electrònic

Detall del producte

Etiquetes de producte

Característiques del producte SiC

Resistent a altes temperatures i corrosió, millorant la qualitat i la productivitat de les hòsties

SiC es refereix al carbur de silici. El carbur de silici (SiC) està fet de sorra de quars, coc i altres matèries primeres mitjançant la fusió del forn d'alta temperatura. La producció industrial actual de carbur de silici té dos tipus, carbur de silici negre i carbur de silici verd. Tots dos són de cristall hexagonal, la gravetat específica de 3,21 g / cm3, la micro duresa de 2840 ~ 3320 kg / mm2.

Almenys 70 tipus de carbur de silici cristal·lí, a causa de la seva baixa gravetat 3,21 g/cm3 i resistència a alta temperatura, és adequat per a coixinets o matèries primeres de forn d'alta temperatura. a qualsevol pressió no es pot arribar, i tenen una activitat química considerablement baixa.

Al mateix temps, moltes persones han intentat substituir el silici per carbur de silici a causa de la seva alta conductivitat tèrmica, gran força de camp elèctric de trituració i alta densitat de corrent màxima. Recentment, en l'aplicació de components semiconductors d'alta potència. De fet, el substrat de carbur de silici en conductivitat tèrmica, més de 10 vegades més gran que el substrat de safir, de manera que l'ús de components LED de substrat de carbur de silici, amb bona conductivitat i conductivitat tèrmica, relativament favorable a la producció de LED d'alta potència.