a casa
Sobre Nosaltres
Productes
Contacta amb nosaltres
Característica
Preguntes freqüents
Notícies
- Notícies de l'empresa
- Notícies de la indústria

a casa
Hòstia
Substrat de SiC

Categories

Recobriment CVD SiC
Recobriment CVD TaC
Tecnologia de tractament de superfícies
Ceràmica de carbur de silici
Quars semiconductor
Productes de grafit semiconductors
- Grafit siliconat
- Components isostàtics de grafit
Fibra de carboni
Hòstia
Més productes ceràmics

Productes destacats

Peces personalitzades de recobriment de carbur de tantal TaC CVD
Anell recobert de carbur de tàntal
Efector ceràmic SiC d'alta precisió
Paleta en voladís de carbur de silici
Portador de grafit recobert de SiC de llarga vida útil per a...
Eina de grafit recobert de carbur de silici, per a Epitaxi C...
Safata MOCVD recoberta de SiC d'alta puresa antioxidació
Estructura de barril de recobriment de SiC per a susceptor de barril
Parts de la segona meitat de semiconductors per a epitaxis

Substrat de SiC

Substrat d'hòstia polit de doble cara HPSI SiC semi-aïllant d'alta puresa de 4 polzades
Substrat d'hòsties 3C-SiC
Substrat SiC de tipus N de 6 polzades
Substrat SiC de 4 polzades tipus N
Substrats de carbur de silici | Hòsties de SiC

<< < Anterior 1 2

informació

Perfil de l'empresa
Contacta amb nosaltres
Certificació i honor
Productes

nou butlletí

Per a consultes sobre els nostres productes o llista de preus, deixeu-nos el vostre correu electrònic i ens posarem en contacte en un termini de 24 hores.

Consulta per llista de preus

el nostre contacte

86-13373889683
No. 777, Zhongguan West Road, districte de Zhenhai, Ningbo, Zhejiang, 315201, Xina
sales01@semi-cera.com

© Copyright - 2018-2027 : Tots els drets reservats.Mapa del lloc
Recobriment de TaC, Si Hòstia, carbur de tàntal, substrat de SiC, Feltre de grafit de Xina i feltre rígid, Epi Hòstia,

Enviar correu electrònic