El substrat Si de Semicera és un component essencial en la producció de dispositius semiconductors d'alt rendiment. Dissenyat a partir de silici (Si) d'alta puresa, aquest substrat ofereix una uniformitat, estabilitat i una conductivitat excel·lents, el que el fa ideal per a una àmplia gamma d'aplicacions avançades a la indústria dels semiconductors. Tant si s'utilitza en la producció de Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer o SiN Substrate, el Semicera Si Substrate ofereix una qualitat constant i un rendiment superior per satisfer les creixents demandes de l'electrònica moderna i la ciència dels materials.
Rendiment inigualable amb alta puresa i precisió
El substrat Si de Semicera es fabrica mitjançant processos avançats que garanteixen una gran puresa i un control dimensional estricte. El substrat serveix com a base per a la producció d'una varietat de materials d'alt rendiment, incloent Epi-Wafers i AlN Wafers. La precisió i la uniformitat del substrat Si el converteixen en una excel·lent opció per crear capes epitaxials de pel·lícula prima i altres components crítics utilitzats en la producció de semiconductors de nova generació. Tant si treballeu amb òxid de gal·li (Ga2O3) com amb altres materials avançats, el substrat Si de Semicera garanteix els nivells més alts de fiabilitat i rendiment.
Aplicacions en la fabricació de semiconductors
A la indústria dels semiconductors, el substrat Si de Semicera s'utilitza en una àmplia gamma d'aplicacions, inclosa la producció de Si Wafer i SiC Substrate, on proporciona una base estable i fiable per a la deposició de capes actives. El substrat té un paper crític en la fabricació d'hòsties SOI (Silicon On Insulator), que són essencials per a la microelectrònica avançada i els circuits integrats. A més, les Epi-Wafers (hòsties epitaxials) construïdes amb substrats de Si són integrals en la producció de dispositius semiconductors d'alt rendiment com ara transistors de potència, díodes i circuits integrats.
El substrat Si també admet la fabricació de dispositius que utilitzen òxid de gal·li (Ga2O3), un material prometedor de banda ampla utilitzat per a aplicacions d'alta potència en electrònica de potència. A més, la compatibilitat del substrat Si de Semicera amb hòsties d'AlN i altres substrats avançats garanteix que pugui satisfer els diversos requisits de les indústries d'alta tecnologia, el que el converteix en una solució ideal per a la producció de dispositius d'avantguarda en els sectors de les telecomunicacions, l'automoció i la indústria. .
Qualitat fiable i consistent per a aplicacions d'alta tecnologia
El substrat Si de Semicera està dissenyat acuradament per satisfer les demandes rigoroses de la fabricació de semiconductors. La seva excepcional integritat estructural i propietats superficials d'alta qualitat el converteixen en el material ideal per al seu ús en sistemes de casset per al transport d'hòsties, així com per crear capes d'alta precisió en dispositius semiconductors. La capacitat del substrat per mantenir una qualitat constant en condicions de procés variables garanteix defectes mínims, millorant el rendiment i el rendiment del producte final.
Amb la seva conductivitat tèrmica superior, resistència mecànica i alta puresa, el substrat Si de Semicera és el material escollit per als fabricants que busquen assolir els estàndards més alts de precisió, fiabilitat i rendiment en la producció de semiconductors.
Trieu el substrat Si de Semicera per a solucions d'alt rendiment i puresa
Per als fabricants de la indústria dels semiconductors, el substrat de Si de Semicera ofereix una solució robusta i d'alta qualitat per a una àmplia gamma d'aplicacions, des de la producció de Si Wafer fins a la creació d'Epi-Wafers i SOI Wafers. Amb una puresa, precisió i fiabilitat inigualables, aquest substrat permet la producció de dispositius semiconductors d'avantguarda, assegurant un rendiment a llarg termini i una eficiència òptima. Trieu Semicera per a les vostres necessitats de substrat de Si i confieu en un producte dissenyat per satisfer les demandes de les tecnologies del demà.
Elements | Producció | Recerca | Maniquí |
Paràmetres de cristall | |||
Politipus | 4H | ||
Error d'orientació superficial | <11-20 >4±0,15° | ||
Paràmetres elèctrics | |||
Dopant | Nitrogen de tipus n | ||
Resistivitat | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Paràmetres mecànics | |||
Diàmetre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Gruix | 350±25 μm | ||
Orientació plana primària | [1-100]±5° | ||
Longitud plana primària | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Pis secundari | Cap | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
Arc | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Deformació | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugositat frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
Estructura | |||
Densitat de microtubes | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Impureses metàl·liques | ≤5E10àtoms/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ua/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Qualitat davantera | |||
Davant | Si | ||
Acabat superficial | Si-face CMP | ||
Partícules | ≤60ea/hòstia (mida ≥0,3μm) | NA | |
Esgarrapades | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diàmetre | Longitud acumulada ≤ 2 * Diàmetre | NA |
Pela de taronja/foses/taques/estries/esquerdes/contaminació | Cap | NA | |
Estelles de vora/sagnies/fractura/plaques hexagonals | Cap | ||
Zones politipus | Cap | Àrea acumulada ≤20% | Àrea acumulada ≤30% |
Marcatge làser frontal | Cap | ||
Tornar Qualitat | |||
Acabat posterior | CMP cara C | ||
Esgarrapades | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2 * Diàmetre | NA | |
Defectes posteriors (estelles de vora/sagnies) | Cap | ||
Rugositat de l'esquena | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
Marcatge làser posterior | 1 mm (des de la vora superior) | ||
Edge | |||
Edge | Xamfrà | ||
Embalatge | |||
Embalatge | Epi-ready amb envasat al buit Embalatge de casset multiwafer | ||
*Notes: "NA" significa que no hi ha cap sol·licitud. Els elements no esmentats poden referir-se a SEMI-STD. |