Casset de semiconductors

Descripció breu:

Casset de semiconductors– Protegiu i transporteu les vostres hòsties amb precisió mitjançant el casset de semiconductors de Semicera, dissenyat per garantir una seguretat i eficiència òptimes en entorns de fabricació d'alta tecnologia.


Detall del producte

Etiquetes de producte

Semicerapresenta elCasset de semiconductors, una eina essencial per a la manipulació segura i eficient de les hòsties durant tot el procés de fabricació de semiconductors. Dissenyat amb alta precisió, aquest casset garanteix que les vostres hòsties s'emmagatzemen i transportin de manera segura, mantenint la seva integritat en cada etapa.

Protecció i durabilitat superiorsElCasset de semiconductorsde Semicera està construït per oferir la màxima protecció a les vostres hòsties. Construït amb materials robusts i resistents a la contaminació, protegeix les vostres hòsties de possibles danys i contaminació, la qual cosa la converteix en una opció ideal per a entorns de sales netes. El disseny del casset minimitza la generació de partícules i garanteix que les hòsties romanguin intactes i segures durant la manipulació i el transport.

Disseny millorat per a un rendiment òptimLa de semiceraCasset de semiconductorspresenta un disseny meticulosament dissenyat que proporciona una alineació precisa de les hòsties, reduint el risc de desalineació i danys mecànics. Les ranures del casset estan perfectament espaiades per subjectar cada hòstia de manera segura, evitant qualsevol moviment que pugui provocar rascades o altres imperfeccions.

Versatilitat i compatibilitatElCasset de semiconductorsés versàtil i compatible amb diverses mides d'hòsties, la qual cosa la fa apta per a diferents etapes de fabricació de semiconductors. Tant si treballeu amb dimensions estàndard o personalitzades, aquest casset s'adapta a les vostres necessitats, oferint flexibilitat en els vostres processos de fabricació.

Manipulació racionalitzada i eficiènciaDissenyat pensant en l'usuari, elCasset Semicera Semiconductorés lleuger i fàcil de manejar, permetent una càrrega i descàrrega ràpida i eficient. Aquest disseny ergonòmic no només estalvia temps, sinó que també redueix el risc d'error humà, assegurant un bon funcionament dins de la vostra instal·lació.

Complint amb els estàndards de la indústriaSemicera assegura que elCasset de semiconductorscompleix els més alts estàndards de qualitat i fiabilitat de la indústria. Cada casset se sotmet a proves rigoroses per garantir que funciona de manera consistent en les condicions exigents de la fabricació de semiconductors. Aquesta dedicació a la qualitat garanteix que les seves hòsties estiguin sempre protegides, mantenint els alts estàndards exigits a la indústria.

Elements

Producció

Recerca

Maniquí

Paràmetres de cristall

Politipus

4H

Error d'orientació superficial

<11-20 >4±0,15°

Paràmetres elèctrics

Dopant

Nitrogen de tipus n

Resistivitat

0,015-0,025 ohm·cm

Paràmetres mecànics

Diàmetre

150,0 ± 0,2 mm

Gruix

350±25 μm

Orientació plana primària

[1-100]±5°

Longitud plana primària

47,5 ± 1,5 mm

Pis secundari

Cap

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 μm (5mm * 5mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Arc

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Deformació

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugositat frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Estructura

Densitat de microtubes

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impureses metàl·liques

≤5E10àtoms/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ua/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualitat davantera

Davant

Si

Acabat superficial

Si-face CMP

Partícules

≤60ea/hòstia (mida ≥0,3μm)

NA

Esgarrapades

≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diàmetre

Longitud acumulada ≤ 2 * Diàmetre

NA

Pela de taronja/foses/taques/estries/esquerdes/contaminació

Cap

NA

Estelles de vora/sagnies/fractura/plaques hexagonals

Cap

Zones politipus

Cap

Àrea acumulada ≤20%

Àrea acumulada ≤30%

Marcatge làser frontal

Cap

Tornar Qualitat

Acabat posterior

CMP cara C

Esgarrapades

≤5ea/mm, longitud acumulada≤2 * Diàmetre

NA

Defectes posteriors (estelles de vora/sagnies)

Cap

Rugositat de l'esquena

Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Marcatge làser posterior

1 mm (des de la vora superior)

Edge

Edge

Xamfrà

Embalatge

Embalatge

Epi-ready amb envasat al buit

Embalatge de casset multiwafer

*Notes: "NA" significa que no hi ha cap sol·licitud. Els elements no esmentats poden referir-se a SEMI-STD.

mida_tecnològica_1_2
Hòsties de SiC

  • Anterior:
  • Següent: