Casset PFA

Descripció breu:

Casset PFA– Experimenteu una resistència química i una durabilitat inigualables amb el casset PFA de Semicera, la solució ideal per a la manipulació segura i eficient de les hòsties en la fabricació de semiconductors.


Detall del producte

Etiquetes de producte

Semiceraté el plaer d'oferir elCasset PFA, una opció premium per a la manipulació d'hòsties en entorns on la resistència química i la durabilitat són primordials. Fabricat amb material de perfluoroalcoxi (PFA) d'alta puresa, aquest casset està dissenyat per suportar les condicions més exigents en la fabricació de semiconductors, assegurant la seguretat i la integritat de les seves hòsties.

Resistència química inigualableElCasset PFAestà dissenyat per proporcionar una resistència superior a una àmplia gamma de productes químics, per la qual cosa és l'opció perfecta per a processos que impliquen àcids agressius, dissolvents i altres productes químics durs. Aquesta robusta resistència química garanteix que el casset es mantingui intacte i funcional fins i tot en els entorns més corrosius, allargant així la seva vida útil i reduint la necessitat de substitucions freqüents.

Construcció d'alta puresade SemiceraCasset PFAestà fabricat amb material PFA ultra pur, que és fonamental per prevenir la contaminació durant el processament de les hòsties. Aquesta construcció d'alta puresa minimitza el risc de generació de partícules i lixiviació química, assegurant que les vostres hòsties estiguin protegides de les impureses que podrien comprometre la seva qualitat.

Durabilitat i rendiment milloratsDissenyat per a la durabilitat, elCasset PFAmanté la seva integritat estructural sota temperatures extremes i condicions de processament rigoroses. Ja sigui exposat a altes temperatures o sotmès a manipulacions repetides, aquest casset conserva la seva forma i rendiment, oferint fiabilitat a llarg termini en entorns de fabricació exigents.

Enginyeria de precisió per a un maneig segurElCasset Semicera PFApresenta una enginyeria precisa que garanteix una manipulació segura i estable de les hòsties. Cada ranura està dissenyada amb cura per mantenir les hòsties de manera segura al seu lloc, evitant qualsevol moviment o desplaçament que pugui provocar danys. Aquesta enginyeria de precisió admet una col·locació coherent i precisa de les hòsties, contribuint a l'eficiència global del procés.

Aplicació versàtil en tots els processosGràcies a les seves propietats materials superiors, elCasset PFAés prou versàtil per utilitzar-se en diverses etapes de fabricació de semiconductors. És especialment adequat per al gravat humit, la deposició de vapor químic (CVD) i altres processos que impliquen entorns químics durs. La seva adaptabilitat el converteix en una eina essencial per mantenir la integritat del procés i la qualitat de les hòsties.

Compromís amb la Qualitat i la InnovacióA Semicera, ens comprometem a oferir productes que compleixin els estàndards més alts de la indústria. ElCasset PFAexemplifica aquest compromís, oferint una solució fiable que s'integra perfectament en els vostres processos de fabricació. Cada casset se sotmet a un estricte control de qualitat per garantir que compleix els nostres rigorosos criteris de rendiment, oferint l'excel·lència que espereu de Semicera.

Elements

Producció

Recerca

Maniquí

Paràmetres de cristall

Politipus

4H

Error d'orientació superficial

<11-20 >4±0,15°

Paràmetres elèctrics

Dopant

Nitrogen de tipus n

Resistivitat

0,015-0,025 ohm·cm

Paràmetres mecànics

Diàmetre

150,0 ± 0,2 mm

Gruix

350±25 μm

Orientació plana primària

[1-100]±5°

Longitud plana primària

47,5 ± 1,5 mm

Pis secundari

Cap

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 μm (5mm * 5mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Arc

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Deformació

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugositat frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Estructura

Densitat de microtubes

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impureses metàl·liques

≤5E10àtoms/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ua/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualitat davantera

Davant

Si

Acabat superficial

Si-face CMP

Partícules

≤60ea/hòstia (mida ≥0,3μm)

NA

Esgarrapades

≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diàmetre

Longitud acumulada ≤ 2 * Diàmetre

NA

Pela de taronja/foses/taques/estries/esquerdes/contaminació

Cap

NA

Estelles de vora/sagnies/fractura/plaques hexagonals

Cap

Zones politipus

Cap

Àrea acumulada ≤20%

Àrea acumulada ≤30%

Marcatge làser frontal

Cap

Tornar Qualitat

Acabat posterior

CMP cara C

Esgarrapades

≤5ea/mm, longitud acumulada≤2 * Diàmetre

NA

Defectes posteriors (estelles de vora/sagnies)

Cap

Rugositat de l'esquena

Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Marcatge làser posterior

1 mm (des de la vora superior)

Edge

Edge

Xamfrà

Embalatge

Embalatge

Epi-ready amb envasat al buit

Embalatge de casset multiwafer

*Notes: "NA" significa que no hi ha cap sol·licitud. Els elements no esmentats poden referir-se a SEMI-STD.

mida_tecnològica_1_2
Hòsties de SiC

  • Anterior:
  • Següent: