La nostra empresa ofereixRecobriment de SiCserveis de processament a la superfície de grafit, ceràmica i altres materials mitjançant el mètode CVD, de manera que els gasos especials que contenen carboni i silici puguin reaccionar a alta temperatura per obtenir molècules Sic d'alta puresa, que es poden dipositar a la superfície dels materials recoberts per formar unCapa protectora de SiCper a l'epitaxi tipus de barril hipnòtic.
Característiques principals:
1. Grafit recobert de SiC d'alta puresa
2. Resistència a la calor superior i uniformitat tèrmica
3. BéRevestiment de cristall de SiCper a una superfície llisa
4. Alta durabilitat davant la neteja química
Especificacions principals deRecobriment CVD-SIC
| Propietats SiC-CVD | ||
| Estructura de cristall | Fase β de la FCC | |
| Densitat | g/cm³ | 3.21 |
| Duresa | Duresa Vickers | 2500 |
| Mida del gra | μm | 2~10 |
| Puresa química | % | 99,99995 |
| Capacitat calorífica | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimació | ℃ | 2700 |
| Força felexural | MPa (RT de 4 punts) | 415 |
| Mòdul de Young | Gpa (corba de 4 punts, 1300 ℃) | 430 |
| Expansió tèrmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductivitat tèrmica | (W/mK) | 300 |
