Certificat IOS Ceràmica d'alta temperatura/Carbur de silici/Placa de ceràmica Sic

Descripció breu:

El SiC unit Si3N4 com a material refractari de nou tipus, s'utilitza àmpliament. La temperatura d'aplicació és de 1400 C. Té una millor estabilitat tèrmica, xoc tèrmic, que és millor que el material refractari normal. També té anti-oxidació, alta resistència a la corrosió, resistència al desgast, alta resistència a la flexió. Pot resistir la corrosió i el fregat, no es pot contaminar i la conducció de calor ràpida en metall fos com AL, Pb, Zn, Cu ect.


Detall del producte

Etiquetes de producte

Les nostres recompenses són reduir els preus de venda, equip d'ingressos dinàmics, control de qualitat especialitzat, fàbriques robustes, serveis de qualitat superior per a la placa de ceràmica Sic d'alta temperatura/carbur de carbur de silici/certificat IOS, els nostres productes i solucions gaudeixen d'una fantàstica popularitat entre els nostres compradors. Donem la benvinguda a clients potencials, associacions d'empreses i amics propers de totes les àrees del vostre món perquè es posin en contacte amb nosaltres i cerquin la cooperació per obtenir beneficis mutus.
Les nostres recompenses són reduir els preus de venda, equip d'ingressos dinàmics, control de qualitat especialitzat, fàbriques robustes, serveis de qualitat superior per aPlaca de forn de carbur de silici de la Xina i placa de carbur de silici, La nostra missió és "Oferir productes i solucions amb qualitat fiable i preus raonables". Donem la benvinguda als clients de tots els racons del món per contactar amb nosaltres per a futures relacions comercials i aconseguir l'èxit mutu!

描述

Carbur de silici unit a nitrur de silici

El material refractari ceràmic SiC unit Si3N4, es barreja amb pols fina de SIC d'alta puresa i pols de silici, després d'un curs de fosa antilliscant, reacció sinteritzada a 1400 ~ 1500 °C. Durant el curs de sinterització, omplint l'alt nitrogen pur al forn, el silici reaccionarà amb el nitrogen i generarà Si3N4, de manera que el material SiC unit Si3N4 es compon de nitrur de silici (23%) i carbur de silici (75%) com a matèria primera principal. , barrejat amb material orgànic, i modelat per barreja, extrusió o abocament, després es fa després de l'assecat i la nitrogenització.

 

特点

Característiques i avantatges:

1. Tolerància a alta temperatura
2. Alta conductivitat tèrmica i resistència als cops
3. Alta resistència mecànica i resistència a l'abrasió
4.Excel·lent eficiència energètica i resistència a la corrosió

Oferim components ceràmics NSiC mecanitzats d'alta qualitat i precisió que processen

1. Lliscament fosa
2.Extrusió
3.Premsat Uni Axial
4.Premsat isostàtic

Fitxa de dades del material

>Composició química Sic 75%
Si3N4 ≥23%
Lliure Si 0%
Densitat aparent (g/cm3) 2,70~2,80
Porositat aparent (%) 12~15
Resistència a la flexió a 20 ℃ (MPa) 180~190
Resistència a la flexió a 1200 ℃ (MPa) 207
Resistència a la flexió a 1350 ℃ (MPa) 210
Resistència a la compressió a 20 ℃ (MPa) 580
Conductivitat tèrmica a 1200 ℃ (w/mk) 19.6
Coeficient d'expansió tèrmica a 1200 ℃ (x 10-6/C) 4,70
Resistència al xoc tèrmic Excel·lent
Màx. temperatura (℃) 1600

Placa de carbur de silici unida a nitrur de silici 1
Placa de carbur de silici unida a nitrur de silici
公司介绍

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. és un proveïdor líder de ceràmica avançada de semiconductors i l'únic fabricant a la Xina que pot proporcionar simultàniament ceràmica de carbur de silici d'alta puresa (especialment el SiC recristalitzat) i recobriment CVD SiC. A més, la nostra empresa també aposta per camps ceràmics com l'alúmina, el nitrur d'alumini, el zirconi i el nitrur de silici, etc.

Els nostres productes principals inclouen: disc de gravat de carbur de silici, remolc de vaixell de carbur de silici, vaixell d'hòsties de carbur de silici (fotovoltaic i semiconductor), tub de forn de carbur de silici, paleta de voladís de carbur de silici, mandrils de carbur de silici, feix de carbur de silici, així com el recobriment CVD SiC i TaC recobriment. Els productes utilitzats principalment a les indústries de semiconductors i fotovoltaica, com ara equips per al creixement de cristalls, epitaxia, gravat, envasat, recobriment i forns de difusió, etc.

La nostra empresa disposa d'equips de producció complets, com ara equips d'emmotllament, sinterització, processament, recobriment, etc., que poden completar tots els enllaços necessaris de la producció de productes i tenir una major controlabilitat de la qualitat del producte; El pla de producció òptim es pot seleccionar segons les necessitats del producte, el que resulta en un cost més baix i proporciona als clients productes més competitius; Podem programar la producció de manera flexible i eficient en funció dels requisits de lliurament de comandes i juntament amb els sistemes de gestió de comandes en línia, proporcionant als clients un termini de lliurament més ràpid i garantit.
11

Les nostres recompenses són reduir els preus de venda, equip d'ingressos dinàmics, control de qualitat especialitzat, fàbriques robustes, serveis de qualitat superior per a la placa de ceràmica Sic d'alta temperatura/carbur de carbur de silici/certificat IOS, els nostres productes i solucions gaudeixen d'una fantàstica popularitat entre els nostres compradors. Donem la benvinguda a clients potencials, associacions d'empreses i amics propers de totes les àrees del vostre món perquè es posin en contacte amb nosaltres i cerquin la cooperació per obtenir beneficis mutus.
Certificat IOSPlaca de forn de carbur de silici de la Xina i placa de carbur de silici, La nostra missió és "Oferir productes i solucions amb qualitat fiable i preus raonables". Donem la benvinguda als clients de tots els racons del món per contactar amb nosaltres per a futures relacions comercials i aconseguir l'èxit mutu!


  • Anterior:
  • Següent: