Semicera ofereix recobriments especialitzats de carbur de tàntal (TaC) per a diversos components i suports.El procés de recobriment líder de Semicera Semicera permet als recobriments de carbur de tàntal (TaC) aconseguir una puresa elevada, estabilitat a alta temperatura i una alta tolerància química, millorant la qualitat del producte dels cristalls SIC/GAN i les capes EPI (Susceptor de TaC recobert de grafit), i allargant la vida útil dels components clau del reactor. L'ús del recobriment TaC de carbur de tàntal és per resoldre el problema de les vores i millorar la qualitat del creixement del cristall, i Semicera ha resolt la tecnologia de recobriment de carbur de tàntal (CVD), assolint el nivell avançat internacional.
Després d'anys de desenvolupament, Semicera ha conquerit la tecnologia deCVD TaCamb l'esforç conjunt del departament d'R+D. Els defectes són fàcils de produir en el procés de creixement de les hòsties de SiC, però després de l'úsTaC, la diferència és significativa. A continuació es mostra una comparació de les hòsties amb i sense TaC, així com les peces de Semicera per al creixement d'un sol cristall
amb i sense TaC
Després d'utilitzar TaC (dreta)
A més, la vida útil dels productes de recobriment de TaC de Semicera és més llarga i més resistent a les altes temperatures que la del recobriment de SiC. Després d'un llarg temps de dades de mesura de laboratori, el nostre TaC pot funcionar durant molt de temps a un màxim de 2300 graus centígrads. A continuació es mostren algunes de les nostres mostres:
( a ) Diagrama esquemàtic del dispositiu de creixement de lingot de cristall únic de SiC mitjançant el mètode PVT (b) Suport de llavors recobert de TaC superior (incloent llavors de SiC) (c) Anell de guia de grafit recobert de TAC
