Els anells de carbur de silici (SiC) CVD que ofereix Semicera són components clau en el gravat de semiconductors, una etapa vital en la fabricació de dispositius semiconductors. La composició d'aquests anells de carbur de silici CVD (SiC) garanteix una estructura resistent i duradora que pot suportar les dures condicions del procés de gravat. La deposició química de vapor ajuda a formar una capa de SiC d'alta puresa, uniforme i densa, donant als anells una excel·lent resistència mecànica, estabilitat tèrmica i resistència a la corrosió.
Com a element clau en la fabricació de semiconductors, els anells de carbur de silici (SiC) CVD actuen com a barrera protectora per protegir la integritat dels xips de semiconductors. El seu disseny precís garanteix un gravat uniforme i controlat, que ajuda a la fabricació de dispositius semiconductors d'alta complexitat, proporcionant un rendiment i fiabilitat millorats.
L'ús de material CVD SiC en la construcció dels anells demostra un compromís amb la qualitat i el rendiment en la fabricació de semiconductors. Aquest material té propietats úniques, com ara una alta conductivitat tèrmica, una excel·lent inercia química i una resistència al desgast i a la corrosió, fent que els anells de carbur de silici (SiC) CVD siguin un component indispensable per a la recerca de la precisió i l'eficiència en els processos de gravat de semiconductors.
L'anell de carbur de silici CVD (SiC) de Semicera representa una solució avançada en el camp de la fabricació de semiconductors, utilitzant les propietats úniques del carbur de silici dipositat en vapor químic per aconseguir processos de gravat fiables i d'alt rendiment, promovent l'avenç continu de la tecnologia de semiconductors. Ens comprometem a oferir als clients productes excel·lents i suport tècnic professional per satisfer la demanda de solucions de gravat eficients i d'alta qualitat de la indústria dels semiconductors.
✓Màxima qualitat al mercat xinès
✓Bon servei sempre per a tu, 7*24 hores
✓ Data de lliurament curta
✓Petit MOQ benvingut i acceptat
✓Serveis personalitzats
Susceptor de creixement de l'epitaxia
Les hòsties de silici/carbur de silici han de passar per diversos processos per utilitzar-les en dispositius electrònics. Un procés important és l'epitaxia de silici/sic, en què les hòsties de silici/sic es porten sobre una base de grafit. Els avantatges especials de la base de grafit recoberta de carbur de silici de Semicera inclouen una puresa extremadament alta, un recobriment uniforme i una vida útil extremadament llarga. També tenen una alta resistència química i estabilitat tèrmica.
Producció de xips LED
Durant l'extens recobriment del reactor MOCVD, la base planetària o el portador mou l'hòstia del substrat. El rendiment del material base té una gran influència en la qualitat del recobriment, que al seu torn afecta la taxa de ferralla del xip. La base recoberta de carbur de silici de Semicera augmenta l'eficiència de fabricació de hòsties LED d'alta qualitat i minimitza la desviació de la longitud d'ona. També subministrem components addicionals de grafit per a tots els reactors MOCVD que s'utilitzen actualment. Podem revestir gairebé qualsevol component amb un recobriment de carbur de silici, fins i tot si el diàmetre del component és de fins a 1,5 M, encara podem recobrir amb carbur de silici.
Camp de semiconductors, procés de difusió d'oxidació, Etc.
En el procés de semiconductors, el procés d'expansió d'oxidació requereix una gran puresa del producte, i a Semicera oferim serveis de recobriment personalitzat i CVD per a la majoria de peces de carbur de silici.
La imatge següent mostra la suspensió de carbur de silici processada en brut de Semicea i el tub del forn de carbur de silici que es neteja al 1000-nivellsense polshabitació. Els nostres treballadors estan treballant abans del revestiment. La puresa del nostre carbur de silici pot arribar al 99,99% i la puresa del recobriment sic és superior al 99,99995%..
Paleta de carbur de silici brut i tub de procés de SiC en neteja
Vaixell d'hòsties de carbur de silici recobert CVD de SiC
