Semicerapresenta elHòstia Epi GaN-on-Si d'alta potència de 850 V, un avenç en la innovació de semiconductors. Aquesta hòstia epi avançada combina l'alta eficiència del nitrur de gal·li (GaN) amb la rendibilitat del silici (Si), creant una solució potent per a aplicacions d'alta tensió.
Característiques principals:
•Manipulació d'alta tensió: Dissenyat per suportar fins a 850 V, aquest GaN-on-Si Epi Wafer és ideal per a l'electrònica de potència exigent, permetent una major eficiència i rendiment.
•Densitat de potència millorada: Amb una mobilitat electrònica i conductivitat tèrmica superiors, la tecnologia GaN permet dissenys compactes i una densitat de potència més gran.
•Solució rendible: Aprofitant el silici com a substrat, aquesta hòstia epi ofereix una alternativa rendible a les hòsties tradicionals de GaN, sense comprometre la qualitat ni el rendiment.
•Àmplia gamma d'aplicacions: Perfecte per al seu ús en convertidors de potència, amplificadors de RF i altres dispositius electrònics d'alta potència, garantint fiabilitat i durabilitat.
Exploreu el futur de la tecnologia d'alta tensió amb Semicera'sHòstia Epi GaN-on-Si d'alta potència de 850 V. Dissenyat per a aplicacions d'avantguarda, aquest producte garanteix que els vostres dispositius electrònics funcionin amb la màxima eficiència i fiabilitat. Trieu Semicera per a les vostres necessitats de semiconductors de nova generació.
| Elements | Producció | Recerca | Maniquí |
| Paràmetres de cristall | |||
| Politipus | 4H | ||
| Error d'orientació superficial | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paràmetres elèctrics | |||
| Dopant | Nitrogen de tipus n | ||
| Resistivitat | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Paràmetres mecànics | |||
| Diàmetre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Gruix | 350±25 μm | ||
| Orientació plana primària | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primària | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Pis secundari | Cap | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Arc | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Deformació | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugositat frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estructura | |||
| Densitat de microtubes | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impureses metàl·liques | ≤5E10àtoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ua/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualitat davantera | |||
| Davant | Si | ||
| Acabat superficial | Si-face CMP | ||
| Partícules | ≤60ea/hòstia (mida ≥0,3μm) | NA | |
| Esgarrapades | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diàmetre | Longitud acumulada ≤ 2 * Diàmetre | NA |
| Pela de taronja/foses/taques/estries/esquerdes/contaminació | Cap | NA | |
| Estelles de vora/sagnies/fractura/plaques hexagonals | Cap | ||
| Zones politipus | Cap | Àrea acumulada ≤20% | Àrea acumulada ≤30% |
| Marcatge làser frontal | Cap | ||
| Tornar Qualitat | |||
| Acabat posterior | CMP cara C | ||
| Esgarrapades | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2 * Diàmetre | NA | |
| Defectes posteriors (estelles de vora/sagnies) | Cap | ||
| Rugositat de l'esquena | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcatge làser posterior | 1 mm (des de la vora superior) | ||
| Edge | |||
| Edge | Xamfrà | ||
| Embalatge | |||
| Embalatge | Epi-ready amb envasat al buit Embalatge de casset multiwafer | ||
| *Notes: "NA" significa que no hi ha cap sol·licitud. Els elements no esmentats poden referir-se a SEMI-STD. | |||
