Els substrats SiC de tipus N de 4 polzades de Semicera estan dissenyats per complir amb els estàndards exigents de la indústria dels semiconductors. Aquests substrats proporcionen una base d'alt rendiment per a una àmplia gamma d'aplicacions electròniques, oferint una conductivitat i propietats tèrmiques excepcionals.
El dopatge de tipus N d'aquests substrats de SiC millora la seva conductivitat elèctrica, fent-los especialment adequats per a aplicacions d'alta potència i alta freqüència. Aquesta propietat permet el funcionament eficient de dispositius com ara díodes, transistors i amplificadors, on minimitzar la pèrdua d'energia és crucial.
Semicera utilitza processos de fabricació d'última generació per garantir que cada substrat presenta una qualitat superficial i una uniformitat excel·lents. Aquesta precisió és fonamental per a aplicacions en electrònica de potència, dispositius de microones i altres tecnologies que exigeixen un rendiment fiable en condicions extremes.
Incorporar els substrats de SiC de tipus N de Semicera a la vostra línia de producció significa beneficiar-vos de materials que ofereixen una dissipació de calor superior i estabilitat elèctrica. Aquests substrats són ideals per crear components que requereixen durabilitat i eficiència, com ara sistemes de conversió d'energia i amplificadors de RF.
En triar els substrats SiC de tipus N de 4 polzades de Semicera, invertiu en un producte que combina la ciència dels materials innovadors amb l'artesania meticulosa. Semicera continua liderant la indústria aportant solucions que donen suport al desenvolupament de tecnologies de semiconductors d'avantguarda, garantint un alt rendiment i fiabilitat.
| Elements | Producció | Recerca | Maniquí |
| Paràmetres de cristall | |||
| Politipus | 4H | ||
| Error d'orientació superficial | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paràmetres elèctrics | |||
| Dopant | Nitrogen de tipus n | ||
| Resistivitat | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Paràmetres mecànics | |||
| Diàmetre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Gruix | 350±25 μm | ||
| Orientació plana primària | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primària | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Pis secundari | Cap | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Arc | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Deformació | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugositat frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estructura | |||
| Densitat de microtubes | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impureses metàl·liques | ≤5E10àtoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ua/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualitat davantera | |||
| Davant | Si | ||
| Acabat superficial | Si-face CMP | ||
| Partícules | ≤60ea/hòstia (mida ≥0,3μm) | NA | |
| Esgarrapades | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diàmetre | Longitud acumulada ≤ 2 * Diàmetre | NA |
| Pela de taronja/foses/taques/estries/esquerdes/contaminació | Cap | NA | |
| Estelles de vora/sagnies/fractura/plaques hexagonals | Cap | ||
| Zones politipus | Cap | Àrea acumulada ≤20% | Àrea acumulada ≤30% |
| Marcatge làser frontal | Cap | ||
| Tornar Qualitat | |||
| Acabat posterior | CMP cara C | ||
| Esgarrapades | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2 * Diàmetre | NA | |
| Defectes posteriors (estelles de vora/sagnies) | Cap | ||
| Rugositat de l'esquena | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcatge làser posterior | 1 mm (des de la vora superior) | ||
| Edge | |||
| Edge | Xamfrà | ||
| Embalatge | |||
| Embalatge | Epi-ready amb envasat al buit Embalatge de casset multiwafer | ||
| *Notes: "NA" significa que no hi ha cap sol·licitud. Els elements no esmentats poden referir-se a SEMI-STD. | |||
