Els substrats d'hòsties Semicera 3C-SiC estan dissenyats per proporcionar una plataforma robusta per a l'electrònica de potència de nova generació i dispositius d'alta freqüència. Amb propietats tèrmiques i característiques elèctriques superiors, aquests substrats estan dissenyats per satisfer els exigents requisits de la tecnologia moderna.
L'estructura 3C-SiC (carbur de silici cúbic) dels substrats d'hòsties de Semicera ofereix avantatges únics, com ara una conductivitat tèrmica més alta i un coeficient d'expansió tèrmica més baix en comparació amb altres materials semiconductors. Això els converteix en una opció excel·lent per a dispositius que funcionen a temperatures extremes i condicions d'alta potència.
Amb un alt voltatge de ruptura elèctrica i una estabilitat química superior, els substrats d'hòsties Semicera 3C-SiC garanteixen un rendiment i una fiabilitat duradors. Aquestes propietats són crítiques per a aplicacions com ara el radar d'alta freqüència, la il·luminació d'estat sòlid i els inversors de potència, on l'eficiència i la durabilitat són primordials.
El compromís de Semicera amb la qualitat es reflecteix en el meticulós procés de fabricació dels seus substrats d'hòsties 3C-SiC, assegurant la uniformitat i la consistència en cada lot. Aquesta precisió contribueix al rendiment global i la longevitat dels dispositius electrònics construïts sobre ells.
En triar els substrats d'hòsties Semicera 3C-SiC, els fabricants tenen accés a un material d'avantguarda que permet el desenvolupament de components electrònics més petits, ràpids i eficients. Semicera continua donant suport a la innovació tecnològica proporcionant solucions fiables que satisfan les demandes en evolució de la indústria dels semiconductors.
| Elements | Producció | Recerca | Maniquí |
| Paràmetres de cristall | |||
| Politipus | 4H | ||
| Error d'orientació superficial | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paràmetres elèctrics | |||
| Dopant | Nitrogen de tipus n | ||
| Resistivitat | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Paràmetres mecànics | |||
| Diàmetre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Gruix | 350±25 μm | ||
| Orientació plana primària | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primària | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Pis secundari | Cap | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Arc | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Deformació | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugositat frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estructura | |||
| Densitat de microtubes | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impureses metàl·liques | ≤5E10àtoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ua/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualitat davantera | |||
| Davant | Si | ||
| Acabat superficial | Si-face CMP | ||
| Partícules | ≤60ea/hòstia (mida ≥0,3μm) | NA | |
| Esgarrapades | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diàmetre | Longitud acumulada ≤ 2 * Diàmetre | NA |
| Pela de taronja/foses/taques/estries/esquerdes/contaminació | Cap | NA | |
| Estelles de vora/sagnies/fractura/plaques hexagonals | Cap | ||
| Zones politipus | Cap | Àrea acumulada ≤20% | Àrea acumulada ≤30% |
| Marcatge làser frontal | Cap | ||
| Tornar Qualitat | |||
| Acabat posterior | CMP cara C | ||
| Esgarrapades | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2 * Diàmetre | NA | |
| Defectes posteriors (estelles de vora/sagnies) | Cap | ||
| Rugositat de l'esquena | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcatge làser posterior | 1 mm (des de la vora superior) | ||
| Edge | |||
| Edge | Xamfrà | ||
| Embalatge | |||
| Embalatge | Epi-ready amb envasat al buit Embalatge de casset multiwafer | ||
| *Notes: "NA" significa que no hi ha cap sol·licitud. Els elements no esmentats poden referir-se a SEMI-STD. | |||
