Substrat d'hòsties 3C-SiC

Descripció breu:

Els substrats d'hòsties Semicera 3C-SiC ofereixen una conductivitat tèrmica superior i un alt voltatge de ruptura elèctrica, ideals per a dispositius electrònics d'alimentació i d'alta freqüència. Aquests substrats estan dissenyats amb precisió per a un rendiment òptim en entorns durs, garantint la fiabilitat i l'eficiència. Trieu Semicera per obtenir solucions innovadores i avançades.

Envieu-nos un correu electrònic

Detall del producte

Etiquetes de producte

Els substrats d'hòsties Semicera 3C-SiC estan dissenyats per proporcionar una plataforma robusta per a l'electrònica de potència de nova generació i dispositius d'alta freqüència. Amb propietats tèrmiques i característiques elèctriques superiors, aquests substrats estan dissenyats per satisfer els exigents requisits de la tecnologia moderna.

L'estructura 3C-SiC (carbur de silici cúbic) dels substrats d'hòsties de Semicera ofereix avantatges únics, com ara una conductivitat tèrmica més alta i un coeficient d'expansió tèrmica més baix en comparació amb altres materials semiconductors. Això els converteix en una opció excel·lent per a dispositius que funcionen a temperatures extremes i condicions d'alta potència.

Amb un alt voltatge de ruptura elèctrica i una estabilitat química superior, els substrats d'hòsties Semicera 3C-SiC garanteixen un rendiment i una fiabilitat duradors. Aquestes propietats són crítiques per a aplicacions com ara radars d'alta freqüència, il·luminació d'estat sòlid i inversors de potència, on l'eficiència i la durabilitat són primordials.

El compromís de Semicera amb la qualitat es reflecteix en el meticulós procés de fabricació dels seus substrats d'hòsties 3C-SiC, assegurant la uniformitat i la consistència en cada lot. Aquesta precisió contribueix al rendiment global i la longevitat dels dispositius electrònics construïts sobre ells.

En triar els substrats d'hòsties Semicera 3C-SiC, els fabricants tenen accés a un material d'avantguarda que permet el desenvolupament de components electrònics més petits, ràpids i eficients. Semicera continua donant suport a la innovació tecnològica proporcionant solucions fiables que satisfan les demandes en evolució de la indústria dels semiconductors.

Elements	Producció	Recerca	Maniquí
Paràmetres de cristall
Politipus	4H
Error d'orientació superficial	<11-20 >4±0,15°
Paràmetres elèctrics
Dopant	Nitrogen de tipus n
Resistivitat	0,015-0,025 ohm·cm
Paràmetres mecànics
Diàmetre	150,0 ± 0,2 mm
Gruix	350±25 μm
Orientació plana primària	[1-100]±5°
Longitud plana primària	47,5 ± 1,5 mm
Pis secundari	Cap
TTV	≤5 μm	≤10 μm	≤15 μm
LTV	≤3 μm (5mm * 5mm)	≤5 μm (5mm * 5mm)	≤10 μm (5 mm * 5 mm)
Arc	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
Deformació	≤35 μm	≤45 μm	≤55 μm
Rugositat frontal (Si-face) (AFM)	Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm)
Estructura
Densitat de microtubes	<1 ea/cm2	<10 ea/cm2	<15 ea/cm2
Impureses metàl·liques	≤5E10àtoms/cm2		NA
BPD	≤1500 ea/cm2	≤3000 ea/cm2	NA
TSD	≤500 ua/cm2	≤1000 ea/cm2	NA
Qualitat davantera
Davant	Si
Acabat superficial	Si-face CMP
Partícules	≤60ea/hòstia (mida ≥0,3μm)	NA
Esgarrapades	≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diàmetre	Longitud acumulada ≤ 2 * Diàmetre	NA
Pela de taronja/foses/taques/estries/esquerdes/contaminació	Cap		NA
Estelles de vora/sagnies/fractura/plaques hexagonals	Cap
Zones politipus	Cap	Àrea acumulada ≤20%	Àrea acumulada ≤30%
Marcatge làser frontal	Cap
Tornar Qualitat
Acabat posterior	CMP cara C
Esgarrapades	≤5ea/mm, longitud acumulada≤2 * Diàmetre	NA
Defectes posteriors (estelles de vora/sagnies)	Cap
Rugositat de l'esquena	Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm)
Marcatge làser posterior	1 mm (des de la vora superior)
Edge
Edge	Xamfrà
Embalatge
Embalatge	Epi-ready amb envasat al buit Embalatge de casset multiwafer
*Notes: "NA" significa que no hi ha cap sol·licitud. Els elements no esmentats poden referir-se a SEMI-STD.