Actualment, els mètodes de preparació deRecobriment de SiCinclouen principalment el mètode gel-sol, el mètode d'incrustació, el mètode de recobriment amb raspall, el mètode de polvorització de plasma, el mètode de reacció química de gas (CVR) i el mètode de deposició de vapor químic (CVD).
Mètode d'inserció:
El mètode és una mena de sinterització en fase sòlida d'alta temperatura, que utilitza principalment la barreja de pols de Si i pols de C com a pols d'incrustació, la matriu de grafit es col·loca a la pols d'incrustació i la sinterització d'alta temperatura es realitza al gas inert. , i finalment elRecobriment de SiCs'obté a la superfície de la matriu de grafit.El procés és senzill i la combinació entre el recobriment i el substrat és bona, però la uniformitat del recobriment al llarg de la direcció del gruix és deficient, cosa que és fàcil de produir més forats i conduir a una baixa resistència a l'oxidació.
Mètode de recobriment amb pinzell:
El mètode de recobriment de pinzell consisteix principalment a raspallar la matèria primera líquida a la superfície de la matriu de grafit i després curar la matèria primera a una temperatura determinada per preparar el recobriment.El procés és senzill i el cost és baix, però el recobriment preparat pel mètode de recobriment de pinzell és feble en combinació amb el substrat, la uniformitat del recobriment és deficient, el recobriment és prim i la resistència a l'oxidació és baixa i es necessiten altres mètodes per ajudar-lo. això.
Mètode de polvorització de plasma:
El mètode de polvorització de plasma consisteix principalment a ruixar matèries primeres foses o semifoses a la superfície de la matriu de grafit amb una pistola de plasma, i després solidificar-se i unir-se per formar un recobriment.El mètode és senzill d'operar i pot preparar un recobriment de carbur de silici relativament dens, però el recobriment de carbur de silici preparat pel mètode sovint és massa feble i condueix a una feble resistència a l'oxidació, de manera que s'utilitza generalment per a la preparació de recobriment compost de SiC per millorar-lo. la qualitat del recobriment.
Mètode gel-sol:
El mètode gel-sol consisteix principalment a preparar una solució de sol uniforme i transparent que cobreixi la superfície de la matriu, assecant-la en un gel i després sinteritzant per obtenir un recobriment.Aquest mètode és senzill d'operar i de baix cost, però el recobriment produït té alguns inconvenients, com ara una baixa resistència al xoc tèrmic i un trencament fàcil, de manera que no es pot utilitzar àmpliament.
Reacció química del gas (CVR):
CVR genera principalmentRecobriment de SiCmitjançant l'ús de pols de Si i SiO2 per generar vapor de SiO a alta temperatura, i es produeixen una sèrie de reaccions químiques a la superfície del substrat de material C.ElRecobriment de SiCpreparat per aquest mètode està estretament unit al substrat, però la temperatura de reacció és més alta i el cost és més elevat.
Deposició de vapor químic (CVD):
Actualment, la CVD és la principal tecnologia de preparacióRecobriment de SiCa la superfície del substrat.El procés principal és una sèrie de reaccions físiques i químiques del material reactiu en fase gasosa a la superfície del substrat i, finalment, el recobriment de SiC es prepara mitjançant la deposició a la superfície del substrat.El recobriment de SiC preparat mitjançant la tecnologia CVD està estretament unit a la superfície del substrat, cosa que pot millorar eficaçment la resistència a l'oxidació i la resistència ablativa del material del substrat, però el temps de deposició d'aquest mètode és més llarg i el gas de reacció té un cert tòxic. gas.
Hora de publicació: 06-nov-2023