En el camp actual de la tecnologia electrònica, els materials semiconductors tenen un paper crucial.Entre ells, el carbur de silici (SiC) com a material semiconductor de banda ampla, amb els seus excel·lents avantatges de rendiment, com ara un camp elèctric elevat, una alta velocitat de saturació, una alta conductivitat tèrmica, etc., s'està convertint gradualment en el focus d'investigadors i enginyers.El disc epitaxial de carbur de silici, com a part important del mateix, ha mostrat un gran potencial d'aplicació.
一、Rendiment del disc epitaxial: avantatges complets
1. Camp elèctric de ruptura ultra alt: en comparació amb els materials de silici tradicionals, el camp elèctric de ruptura del carbur de silici és més de 10 vegades.Això significa que, en les mateixes condicions de tensió, els dispositius electrònics que utilitzen discos epitaxials de carbur de silici poden suportar corrents més altes, creant així dispositius electrònics d'alta tensió, alta freqüència i alta potència.
2. Velocitat de saturació d'alta velocitat: la velocitat de saturació del carbur de silici és més de 2 vegades la del silici.Funcionant a alta temperatura i alta velocitat, el disc epitaxial de carbur de silici funciona millor, cosa que millora significativament l'estabilitat i la fiabilitat dels dispositius electrònics.
3. Conductivitat tèrmica d'alta eficiència: la conductivitat tèrmica del carbur de silici és més de 3 vegades la del silici.Aquesta característica permet als dispositius electrònics dissipar millor la calor durant el funcionament continu d'alta potència, evitant així el sobreescalfament i millorant la seguretat del dispositiu.
4. Excel·lent estabilitat química: en entorns extrems com ara alta temperatura, alta pressió i radiació forta, el rendiment del carbur de silici segueix sent estable com abans.Aquesta característica permet que el disc epitaxial de carbur de silici mantingui un rendiment excel·lent davant d'entorns complexos.
二、procés de fabricació: tallat amb cura
Els principals processos per a la fabricació del disc epitaxial SIC inclouen la deposició física de vapor (PVD), la deposició de vapor químic (CVD) i el creixement epitaxial.Cadascun d'aquests processos té les seves pròpies característiques i requereix un control precís de diversos paràmetres per aconseguir els millors resultats.
1. Procés PVD: mitjançant evaporació o pols i altres mètodes, l'objectiu de SiC es diposita sobre el substrat per formar una pel·lícula.La pel·lícula preparada per aquest mètode té una puresa elevada i una bona cristal·linitat, però la velocitat de producció és relativament lenta.
2. Procés CVD: En trencar el gas font de carbur de silici a alta temperatura, es diposita sobre el substrat per formar una pel·lícula fina.El gruix i la uniformitat de la pel·lícula preparada per aquest mètode són controlables, però la puresa i la cristal·linitat són pobres.
3. Creixement epitaxial: creixement de la capa epitaxial de SiC sobre silici monocristal·lí o altres materials monocristal·lins per mètode de deposició de vapor químic.La capa epitaxial preparada per aquest mètode té una bona combinació i un rendiment excel·lent amb el material del substrat, però el cost és relativament elevat.
三、Perspectiva d'aplicació: il·lumineu el futur
Amb el desenvolupament continu de la tecnologia electrònica de potència i la creixent demanda de dispositius electrònics d'alt rendiment i alta fiabilitat, el disc epitaxial de carbur de silici té una àmplia perspectiva d'aplicació en la fabricació de dispositius semiconductors.S'utilitza àmpliament en la fabricació de dispositius semiconductors d'alta potència d'alta freqüència, com ara interruptors electrònics de potència, inversors, rectificadors, etc. A més, també s'utilitza àmpliament en cèl·lules solars, LED i altres camps.
Amb els seus avantatges de rendiment únics i la millora contínua del procés de fabricació, el disc epitaxial de carbur de silici està mostrant gradualment el seu gran potencial en el camp dels semiconductors.Tenim motius per creure que en el futur de la ciència i la tecnologia, tindrà un paper més important.
Hora de publicació: 28-nov-2023