-
Què és el carbur de tantal?
El carbur de tàntal (TaC) és un compost binari de tàntal i carboni amb la fórmula química TaC x, on x sol variar entre 0,4 i 1. Són materials ceràmics extremadament durs, trencadissos i refractaris amb conductivitat metàl·lica. Són pols de color marró-gris i som nosaltres...Llegeix més -
què és el carbur de tàntal
El carbur de tàntal (TaC) és un material ceràmic d'alta temperatura amb resistència a alta temperatura, alta densitat i alta compacitat; alta puresa, contingut d'impureses <5PPM; i inercia química a l'amoníac i l'hidrogen a altes temperatures, i bona estabilitat tèrmica. L'anomenada ultra alta...Llegeix més -
Què és l'epitaxia?
La majoria dels enginyers no estan familiaritzats amb l'epitaxia, que té un paper important en la fabricació de dispositius semiconductors. L'epitaxia es pot utilitzar en diferents productes de xips, i els diferents productes tenen diferents tipus d'epitaxia, com ara l'epitaxia Si, l'epitaxia SiC, l'epitaxia GaN, etc. Què és l'epitaxia? L'epitaxia és...Llegeix més -
Quins són els paràmetres importants del SiC?
El carbur de silici (SiC) és un important material semiconductor de banda ampla àmpliament utilitzat en dispositius electrònics d'alta potència i alta freqüència. A continuació es mostren alguns paràmetres clau de les hòsties de carbur de silici i les seves explicacions detallades: Paràmetres de gelosia: assegureu-vos que el ...Llegeix més -
Per què cal enrotllar el silici monocristal?
El rodatge es refereix al procés de mòlta del diàmetre exterior d'una vareta d'un sol cristall de silici en una vareta d'un sol cristall del diàmetre requerit mitjançant una mola de diamant, i la mòlta d'una superfície de referència de vora plana o una ranura de posicionament de la vareta d'un sol cristall. La superfície del diàmetre exterior...Llegeix més -
Processos per a la producció de pols de SiC d'alta qualitat
El carbur de silici (SiC) és un compost inorgànic conegut per les seves propietats excepcionals. El SiC natural, conegut com a moissanita, és força rar. En aplicacions industrials, el carbur de silici es produeix principalment mitjançant mètodes sintètics. A Semicera Semiconductor, aprofitem la tècnica avançada...Llegeix més -
Control de la uniformitat de la resistivitat radial durant l'estirada del cristall
Les principals raons que afecten la uniformitat de la resistivitat radial dels cristalls simples són la planitud de la interfície sòlid-líquid i l'efecte pla petit durant el creixement del cristall La influència de la planitud de la interfície sòlid-líquid Durant el creixement del cristall, si la fusió s'agita uniformement , el...Llegeix més -
Per què el forn d'un sol cristall de camp magnètic pot millorar la qualitat d'un sol cristall?
Com que el gresol s'utilitza com a contenidor i hi ha convecció a l'interior, a mesura que augmenta la mida del monocristall generat, la convecció de calor i la uniformitat del gradient de temperatura es fan més difícils de controlar. Afegint camp magnètic per fer que la fusió conductora actuï sobre la força de Lorentz, la convecció pot ser...Llegeix més -
Creixement ràpid de cristalls únics de SiC mitjançant una font a granel CVD-SiC per mètode de sublimació
Creixement ràpid de cristall únic de SiC mitjançant la font a granel CVD-SiC mitjançant el mètode de sublimació Mitjançant l'ús de blocs CVD-SiC reciclats com a font de SiC, els cristalls de SiC es van cultivar amb èxit a una velocitat d'1,46 mm/h mitjançant el mètode PVT. La microtuba i les densitats de dislocació del cristall crescut indiquen que de...Llegeix més -
Contingut optimitzat i traduït en equips de creixement epitaxial de carbur de silici
Els substrats de carbur de silici (SiC) tenen nombrosos defectes que impedeixen el processament directe. Per crear hòsties de xip, s'ha de fer créixer una pel·lícula d'un sol cristall específica sobre el substrat de SiC mitjançant un procés epitaxial. Aquesta pel·lícula es coneix com la capa epitaxial. Gairebé tots els dispositius SiC es realitzen en epitaxis...Llegeix més -
El paper crucial i els casos d'aplicació dels susceptors de grafit recoberts de SiC en la fabricació de semiconductors
Semicera Semiconductor té previst augmentar la producció de components bàsics per a equips de fabricació de semiconductors a nivell mundial. El 2027, volem establir una nova fàbrica de 20.000 metres quadrats amb una inversió total de 70 milions de dòlars. Un dels nostres components bàsics, el carro d'hòsties de carbur de silici (SiC)...Llegeix més -
Per què hem de fer epitaxia sobre substrats d'hòsties de silici?
A la cadena de la indústria de semiconductors, especialment a la cadena de la indústria de semiconductors de tercera generació (semiconductors de banda ampla), hi ha substrats i capes epitaxials. Quina és la importància de la capa epitaxial? Quina diferència hi ha entre el substrat i el substrat? El subst...Llegeix més