-
Què són els semiconductors de potència? Comprendre el ràpid creixement d'aquest mercat!
Com una de les empreses líders del sector, Semicera es dedica a oferir solucions innovadores als nostres clients. En aquest article, explorarem el concepte de semiconductors de potència i entendrem per què aquest mercat està experimentant un ràpid creixement. Comprendre Power Semiconductor...Llegeix més -
Tecnologia de producció i usos principals del grafit premsat isostàtic
El grafit premsat isostàtic és un nou tipus de material de grafit, que té una excel·lent conductivitat elèctrica, resistència a alta temperatura i estabilitat química, de manera que s'utilitza àmpliament en molts camps d'alta tecnologia. En aquest article s'introduirà detalladament el procés de producció, els principals...Llegeix més -
Explorant els discs epitaxials de carbur de silici semiconductors: avantatges de rendiment i perspectives d'aplicació
En el camp actual de la tecnologia electrònica, els materials semiconductors tenen un paper crucial. Entre ells, el carbur de silici (SiC) com a material semiconductor de banda ampla, amb els seus excel·lents avantatges de rendiment, com ara un camp elèctric de gran ruptura, alta velocitat de saturació, h...Llegeix més -
Feltre dur de grafit: material innovador, obre una nova era de ciència i tecnologia
Com a nou material de feltre dur de grafit, el procés de fabricació és força únic. Durant el procés de mescla i feltre, les fibres de grafè i les fibres de vidre interactuen per formar un nou material que conserva tant l'alta conductivitat elèctrica com l'alta resistència del grafè i ...Llegeix més -
Què és la hòstia de carbur de silici semiconductor (SiC).
Hòsties de carbur de silici semiconductors (SiC), aquest nou material ha sorgit gradualment en els últims anys, amb les seves propietats físiques i químiques úniques, injectant una nova vitalitat per a la indústria dels semiconductors. Les hòsties de SiC, que utilitzen monocristalls com a matèries primeres, s'elaboren acuradament...Llegeix més -
Procés de producció d'hòsties de carbur de silici
L'hòstia de carbur de silici està feta de pols de silici d'alta puresa i pols de carboni d'alta puresa com a matèries primeres, i el cristall de carbur de silici es cultiva mitjançant el mètode de transferència de vapor físic (PVT) i es processa en hòstia de carbur de silici. ① Síntesi de matèries primeres. Silici d'alta puresa...Llegeix més -
Recobriment de carbur de silici: el nou favorit de la indústria dels semiconductors
Amb el ràpid desenvolupament de la indústria dels semiconductors, el nou recobriment de carbur de silici (SiC) s'està convertint gradualment en el material estrella de la indústria. El grafit recobert de carbur de silici s'utilitza àmpliament en productes electrònics de semiconductors d'alta temperatura/alta tensió...Llegeix més -
Recobriments de carbur de silici: nous avenços en la ciència dels materials
Amb el desenvolupament de la ciència i la tecnologia, el nou recobriment de carbur de silici està canviant gradualment les nostres vides. Aquest recobriment, que es prepara a la superfície de les peces mitjançant deposició física o química de vapor, polvorització i altres mètodes, ha atret grans atraccions...Llegeix més -
Barril de grafit recobert de SiC
Com a un dels components bàsics de l'equip MOCVD, la base de grafit és el suport i el cos d'escalfament del substrat, que determina directament la uniformitat i la puresa del material de la pel·lícula, de manera que la seva qualitat afecta directament la preparació de la làmina epitaxial i en el . ..Llegeix més -
Mètode per preparar el recobriment de carbur de silici
Actualment, els mètodes de preparació del recobriment de SiC inclouen principalment el mètode gel-sol, el mètode d'incrustació, el mètode de recobriment amb pinzell, el mètode de polvorització de plasma, el mètode de reacció de gas químic (CVR) i el mètode de deposició de vapor químic (CVD). Mètode d'incrustació: el mètode és una mena d'alta...Llegeix més -
Felicitats al nostre (Semicera), soci, SAN 'an Optoelectronics, per l'augment del preu de les accions
24 d'octubre -- Les accions de San'an Optoelectronics han pujat fins a 3,8 avui després que el fabricant xinès de semiconductors digués que la seva fàbrica de carbur de silici, que subministrarà l'empresa conjunta de xips automàtics de l'empresa amb el gegant tecnològic suís ST Microelectronics un cop hagi acabat. .Llegeix més -
Avenç en la tecnologia d'epitaxi de carbur de silici: liderant el camí en la fabricació de reactors epitaxials de silici/carbur a la Xina
Estem encantats d'anunciar un assoliment innovador en l'experiència de la nostra empresa en tecnologia d'epitaxi de carbur de silici. La nostra fàbrica està orgullosa de ser un dels principals fabricants a la Xina capaç de produir reactors epitaxials de silici/carbur. Amb el nostre compromís amb una qualitat excepcional...Llegeix més